【在线研讨会】大功率 IGBT/SiC MOSFET并联设计技巧和指南
大家好，2024 年 04 月 18 日，将举办在线研讨会，欢迎大家积极参加~下面给大家介绍本期的主要内容 ↓↓↓
>>简介：
主 题：大功率 IGBT/SiC MOSFET并联设计技巧和指南
演讲人：
吴圣
演讲人简介：
吴圣，安森美现场应用工程师
会议时间：
2024-04-1810:00:00
会议介绍：本次网上研讨会将探讨大功率 IGBT/SiC MOSFET器件并联设计的重要性以及实际应用中挑战及解决方法。我们将介绍功率器件并联设计的优势，包括降低传导损耗、提高效率和扩展电流容量，并解释为什么单个器件可能无法满足高电流需求，需要并联设计。而在并联设计的实际应用中，往往需面临均流不平衡和功率耗散不均衡等问题。我们将提供一些设计技巧以解决这些问题，并强调考虑热特性、交流输出负载电流等因素的重要性。透過通过本次研讨会，能够帮助设计工程师更好地理解功率器件并联设计，并提供实用的解决方案。
会议亮点：
-功率器件并联设计的优势
-并联设计在实际应用中遇到的问题
-并联设计的设计技巧、考虑因素以及解决方案
>>会议时间：
2024 年 04 月 18 日，上午 10:00 准时参会，观看吴圣 先生的精彩演讲。
>>会议现场接口：
https://seminar.21ic.com/show-meeting?meeting_id=433（2024 年 04 月 18 日 上午 10:00:00 后才可以进入）
注：如果您有相关技术问题，可以跟帖提出！现场专家会为您现场解答。
除了这些，在线研讨会还有最新**——打赏呦，快来围观吧 ↓ ↓ ↓
快仔细看下面细则：
1、把您参与本次在线研讨会的提问截图（问题需要审核通过），回复到本帖，凭有效截图参与打赏，
截图回帖的时间需在 2024 年 04 月 18 日 中午12:00之前，超过中午12点的回帖，不参与打赏。
【截图示例】电脑全屏截图即可，需要看到研讨会名字及您的用户名。不然无法判定是否参加本次研讨会，不能打赏。
>>活动奖励：每个有效提问打赏2元，每人 10元封顶。
（注：提问问题须和当天会议相关问题。类似“支持”“讲的很好”“谢谢”等都不算有效提问。明显“水”的凑数提问将不打赏~）
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链接地址：https://seminar.21ic.com/show-meeting?meeting_id=433，参与问卷调查也有可能获得惊喜呦。
报名参加 报名学习 本帖最后由 springvirus 于 2024-4-18 10:09 编辑
2024.4.18大功率 IGBT/SiC MOSFE并联设计技巧和指南签到
本帖最后由 liang-1011 于 2024-4-18 10:47 编辑
大功率 IGBT/SiC MOSFE并联设计技巧和指南问题截图 并联优越实用 参加会议
讲得不错
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