flycamelaaa 发表于 2024-7-28 14:05

stm32F765的FMC使用SRAM能否缩小两次连续读的时间

使用MCU的FMC外扩SRAM时，对外部SRAM进行读写操作时，写操作无异常，通过寄存器均可按照手册控制。在进行读操作时，开启EXTMOD功能，即使总线周转时间设置为0，两次连续的读操作时间还为150ns。MCU主频为216M，开启了CACHE和MPU。求助各位，能否缩小两次连续读的时间，并未在手册中找到相关寄存器说明。

yiy 发表于 2024-7-28 21:46

这芯片主频高的很啊。

powerantone 发表于 2024-7-29 11:10

能否缩小两次连续读的时间，这个问题涉及多个因素，包括硬件设计、寄存器配置、SRAM的性能以及MCU（微控制器）的工作状态等。

感觉很反感mva 发表于 2024-7-30 18:04

FMC配置优化
读访问延迟：确保读访问延迟（RDxT）配置为最小值。
总线周转时间：虽然已经设置为0，但确保配置正确。
数据保持时间：DATAST 设置为最小合适值。

感觉很反感mva 发表于 2024-7-30 18:05

寄存器配置

FMC_Bank1->BTCR = FMC_BCR1_MBKEN | FMC_BCR1_MWID_16;// Enable the memory bank and set data bus width
FMC_Bank1->BTCR = FMC_BTR1_ADDSET(1) | FMC_BTR1_DATAST(1) | FMC_BTR1_BUSTURN(0);

米多0036 发表于 2024-8-31 13:03

FMC的读操作时间受多个因素影响，包括时序配置、缓存设置等。

generalissimo 发表于 2025-3-8 17:30

原厂技术支持怎么说

阿尔法99 发表于 2025-7-5 17:43

楼主，这个问题您后来怎么解决的？
页: [1]
查看完整版本: stm32F765的FMC使用SRAM能否缩小两次连续读的时间