STM32G0系列的Flash操作有时会遇到写保护或权限问题
请问大家在使用STM32G0B1CBT6时，如何正确配置Flash的读写权限，避免遇到无法擦除或写入的问题？具体的步骤有哪些？ 根据系统时钟频率，配置适当的Flash访问等待周期。这可以通过设置FLASH_ACR寄存器来完成 没遇到过写保护或者是权限问题 其实这种问题可以用jlink，解除一下就好了 话说，写保护是怎么形成的，是误操作导致的 在使用STM32G0B1CBT6微控制器时，正确配置Flash的读写权限是非常重要的，以避免遇到无法擦除或写入的问题 STM32G0B1CBT6的Flash存储器通常分为多个扇区（Sector），每个扇区的大小可能不同。在进行Flash操作之前，需要了解Flash的结构和扇区大小 在进行Flash操作之前，需要配置Flash的访问权限。需要使能Flash访问时钟。在STM32G0系列中，通常使用RCC（Reset and Clock Control）模块来配置时钟 在进行Flash擦除或写入操作之前，需要先解锁Flash。解锁Flash涉及到写入特定的解锁序列到FLASH_KEYR寄存器 在写入数据之前，通常需要先擦除目标扇区。擦除操作可以通过设置FLASH_CR寄存器的相关位来完成 一般来说，在擦除完成后，可以开始写入数据。写入操作涉及到设置FLASH_CR寄存器的相关位，并将数据写入到目标地址 参考手册和文档 正确配置Flash的读写权限，避免遇到无法擦除或写入的问题 STM32G0的Flash操作前需要解锁Flash控制器，先写入KEY1和KEY2到FLASH->KEYR寄存器，这步没做的话，写操作会失败。 检查一下OB（Option Bytes）的配置，是不是开启了写保护（WRP）区域？如果有，就需要通过Option Bytes修改来解除写保护。 每次写Flash之前，记得检查Flash状态寄存器（SR），确认Flash不在忙（BSY）状态，否则写操作会被阻塞。 STM32G0系列有电压保护机制，如果供电电压低于最低写入要求，Flash写入会失败，确认VDD稳定在2.7V以上。 如果是通过中断或者RTOS环境下操作Flash，记得关掉所有中断，防止冲突，因为Flash写操作需要独占总线。 擦除Flash时要按页擦除，不能直接写数据覆盖，要先执行擦除命令，否则可能会导致写入错误。 如果你的代码跑在Flash中，不建议直接操作当前运行的区域，建议用Dual Bank模式分区，或者在RAM中运行Flash擦写代码。
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