合理使用AVR D系列芯片的USERROW、BOOTROW
本帖最后由 lcczg 于 2024-10-12 09:39 编辑在AVR D系列芯片中有一个非易失存储区是USERROW，BOOTROW, 可以用来存放终端产品的一些信息，例如校准数据，密钥串码之类的。芯片擦除（erase）时它不受影响，不会被擦。
在调试的时候耗费了一些时间，所以这里和大家分享一下，用到的话可以做一个参考。
我用的硬件是AVR64DU32 Cnano板(https://www.microchip.com/en-us/development-tool/ev59f82a)，
IDE是MPLABX 6.20, 编译器XC8 v2.50.
程序里对USERROW操作，先擦再写，再读出来，调试时可以看到写入读出的数据是一致的。
USERROW大小512字节，测试时写入了32字节做验证。工程在附件里，这里直接贴一下代码
#include <xc.h>
#include <avr/io.h>
#include <avr/interrupt.h>
#include <avr/pgmspace.h>
#define USER_ROW_START_ADDRESS 0x1200
#define USER_ROW_SIZE 32
uint8_t read_buf;
uint8_t read_user_row(uint16_t address)
{
return *(uint8_t *) address;
}
void erase_user_row(void) {
while (NVMCTRL.STATUS & (NVMCTRL_EEBUSY_bm | NVMCTRL_FLBUSY_bm));
_PROTECTED_WRITE_SPM(NVMCTRL.CTRLA, NVMCTRL_CMD_FLPER_gc);// Enter erase mode
USERROW_USERROW = 0; // trigger page(512byte) Erase
while (NVMCTRL.STATUS & NVMCTRL_FLBUSY_bm);
_PROTECTED_WRITE_SPM(NVMCTRL.CTRLA, NVMCTRL_CMD_NONE_gc); // Leave erase mode
}
void write_user_row(uint8_t *data, uint8_t length) {
// Set up the NVMCTRL to write to the user row
NVMCTRL.ADDR = USER_ROW_START_ADDRESS;
// Write data to the user row
for (uint8_t i = 0; i < length; i++) {
while (NVMCTRL.STATUS & (NVMCTRL_EEBUSY_bm | NVMCTRL_FLBUSY_bm));
CCP = CCP_SPM_gc ;
NVMCTRL.CTRLA = 0x02;
*((uint8_t *)(USER_ROW_START_ADDRESS + i)) = data;
}
}
int main(void) {
uint8_t user_data = {0x01, 0x02, 0x03, 0x04, 0x05, 0x06, 0x07, 0x08,
0x09, 0x0A, 0x0B, 0x0C, 0x0D, 0x0E, 0x0F, 0x10,
0x11, 0x12, 0x13, 0x14, 0x15, 0x16, 0x17, 0x18,
0x19, 0x1A, 0x1B, 0x1C, 0x1D, 0x1E, 0x1F, 0x20};
// Erase USERROW
erase_user_row();
// Write the user data to the user row
write_user_row(user_data, USER_ROW_SIZE);
// Read data from the user row
for (uint8_t i = 0; i < USER_ROW_SIZE; i++) {
read_buf = read_user_row(USER_ROW_START_ADDRESS + i);
}
while (1) {
// Main loop
NOP();
}
return 0;
}
烧录运行后，可以读出memory 内容到一个文件，
读出后打开文件，可以看到写入的数据
这个是不是像FLASH一样啊 micoccd 发表于 2024-10-12 16:39
这个是不是像FLASH一样啊
是的，本质上是FLASH。 基本都要先擦再写，再读出来，调试时可以看到写入读出的数据是一致的。 就是一个存储呗，然后就是它可以写一写配置数据在里面呗 AVR D系列芯片的USERROW和BOOTROW是两个特殊的存储区域，它们在芯片的非易失性存储器中扮演着不同的角色。
USERROW（用户行）是一个可读写的非易失性存储区域，通常用于存储用户自定义的数据。这个区域在芯片复位后仍然保持数据，因此非常适合存储配置参数、校准数据或其他需要在系统启动时使用的信息。
其特性是非易失性，数据在断电后不会丢失。
用户可以在运行时读取和写入数据。
通常为32字节或64字节，具体取决于芯片型号。
USERROW的写入操作通常需要先擦除整个USERROW区域，然后再写入数据。具体操作可以参考芯片的数据手册。
BOOTROW（引导行）是一个用于存储引导加载程序（Bootloader）的区域。这个区域通常位于芯片的Flash存储器的末尾，用于在系统启动时加载和执行引导程序。
配置引导程序： 在编程时，可以将引导程序代码写入BOOTROW区域。通常，芯片的编程工具（如AVR Studio或Atmel Studio）提供了配置引导程序的功能。
当芯片复位时，它会自动从BOOTROW区域加载并执行引导程序。引导程序通常负责初始化系统、加载应用程序代码等任务。
应用程序和引导程序的分离： 通常，应用程序代码和引导程序代码是分开存储的。应用程序代码存储在Flash存储器的前面部分，而引导程序代码存储在BOOTROW区域。 提供了库函数操作？学一下。
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