英飞凌新推出的IGBT7单管系列如何？
IGBT不论单管和模块都需要通过多项可靠性测试以保证其长期使用稳定性，具体有使用过的嘛？有啥需要注意的事项 可以在以下界面找到IGBT7的相关使用介绍：https://www.infineon.com/cms/en/product/power/igbt/trenchstop-igbt7/?term=igbt7&view=kwr&intc=searchkwr
如果您有其他的关于IGBT的问题也可以到我们的英飞凌官方论坛上去提问，上面有专门支持IGBT的工程师为您解答，链接如下：
https://community.infineon.com/?utm_source=21ic&utm_medium=display&utm_campaign=202310_gc_community_answer
其实英飞凌的芯片质量和认证还是没问题的 高温存储测试有时需要配合电气参数测试，确认器件是否会在高温下发生性能退化或其他异常现象。 英飞凌新推出的IGBT7单管系列在技术性能、应用适配性和可靠性方面均展现出显著优势，尤其适合光伏、储能、充电桩及工业驱动等高功率密度与高效率需求场景 果然半导体的发展，不限定于某一个方向。原来以为英飞凌只是侧重于MCU呢。 IGBT7采用微沟槽（Micro Pattern Trench）技术，通过优化元胞结构和寄生电容参数，实现了极低的导通压降（Vcesat）和优化的开关性能。例如，H7系列的饱和导通电压Vcesat相比前代产品降低了25%，开关损耗（Eon+Eoff）显著降低，整体效率提升明显。 高开关频率支持：650V H7芯片的开关频率最高可达100kHz，1200V H7芯片最高可达40kHz，适用于高频应用场景，如光伏逆变器和充电桩。 高电流承载能力，H7系列最大电流可达140A（市场首发），相比上一代1200V高速单管（如Highspeed3 H3的75A），功率密度大幅提升，适合高功率应用。 光伏与储能，IGBT7单管系列特别适用于光伏组串逆变器和储能系统。例如，H7系列模块（如FS3L40R12W2H7P_B11）采用三相NPC 2拓扑，适用于1100V光伏组串逆变器，具备PressFIT针脚和预涂导热材料，提升安装便捷性和散热性能。 T7系列主要面向电机驱动应用，适用于Easy和Econo封装，导通损耗低且开关速度快，同时具备短路能力，适合工业驱动场景。 工业自动化，IGBT7的微沟槽技术提升了器件可控性，降低了开关损耗，尤其适合中等开关频率的工业驱动应用，如变频器、伺服驱动器等。 部分产品采用TO-247-3-HCC封装，增加了爬电距离和电气间隙，提升了防潮性能。非对称TO-247-4p封装（如IKZA系列）降低了辅助发射极和栅极引脚的宽度，避免焊接连锡，提升了安装可靠性和生产效率。 确实IGBT7单管系列通过了JEDEC 47/20/22的相关测试，尤其是HV-H3TRB（高压高温高湿反偏测试），在85℃、85%湿度、960V偏置电压下通过1000小时测试，显示出卓越的高压及潮湿环境适应能力，适合户外应用场景。 一般来说IGBT7单管系列支持多种封装形式（如EasyPACK™、EconoDUAL™、PrimePACK™），可根据不同功率需求灵活选择。例如，E7模块采用62mm封装，最大标称电流达800A，适用于兆瓦级集中式光伏逆变器及储能系统。
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