nuc990 发表于 2024-11-25 16:51

请问N32G03系列的EFT等级

请问N32G03系列的EFT等级和ESD能达到多少

飘向北方 发表于 2024-11-27 22:18

关于N32G03系列的EFT等级（电磁抗扰度等级），我无法直接提供具体信息。建议查阅制造商提供的技术手册、数据规格书或其他相关文档，或者联系制造商的客户服务或技术支持人员以获取准确的EFT等级信息。他们通常能提供详细的规格和性能参数，包括电磁兼容性（EMC）和电磁抗扰度等方面的信息。

dspmana 发表于 2024-12-3 08:11

N32G003系列MCU的ESD保护等级在HBM（人体模型）模式下为±4KV

benjaminka 发表于 2024-12-6 19:33

该系列单片机具备一定的抗静电能力，能够在一定程度上抵御静电放电的影响。

phoenixwhite 发表于 2024-12-6 21:05

N32G03系列单片机的ESD等级为HBM（人体模型）±8KV，CDM（电荷装置模型）±2KV。这表明该单片机具有强大的抗静电放电能力，能够在静电环境下稳定运行。

iyoum 发表于 2024-12-7 00:06

对于ESD能力，N32G003系列MCU在ESD（HBM）模式下的静电等级为+/-4KV。

pixhw 发表于 2024-12-7 03:08

国民技术官方网站发布的各型号单片机的详细规格书和技术指南。

averyleigh 发表于 2024-12-7 06:11

该系列MCU在静电放电环境中具有较好的抗扰度能力，能够在一定程度上保护芯片免受静电放电的损害。

saservice 发表于 2024-12-9 10:18

具体参数请参考官方数据手册            

backlugin 发表于 2024-12-9 13:20

N32G03系列单片机的EFT（电快速瞬变脉冲群）等级达到了±4KV

belindagraham 发表于 2024-12-9 16:29

根据具体型号的数据手册或技术规格来确认ESD等级。

10299823 发表于 2024-12-10 12:59

N32G03系列MCU的ESD等级通常可以达到±4KV

usysm 发表于 2024-12-10 15:33

对于EFT等级，目前没有找到具体的数据。

eefas 发表于 2024-12-10 17:03

ESD等级可能会因具体型号和制造工艺的差异而有所变化。

jackcat 发表于 2024-12-11 16:05

N32G03系列单片机在EFT和ESD方面都表现出了较高的抗干扰能力，适用于对电磁兼容性要求较高的应用场景。

biechedan 发表于 2024-12-11 17:39

N32G03系列：通常能够承受±2kV（接触放电）和±4kV（空气放电）的EFT测试。

kkzz 发表于 2024-12-11 18:37

该系列单片机的 ESD 等级为 ±4KV

hudi008 发表于 2024-12-11 20:02

EFT等级通常取决于芯片的设计和制造工艺，以及制造商对芯片的测试和认证。

ulystronglll 发表于 2024-12-12 12:17

N32G03系列：
人体模型（HBM）：±8kV
机器模型（MM）：±15kV
充电器件模型（CDM）：±15kV

ingramward 发表于 2024-12-12 13:42

如果需要更高的ESD防护等级，可能需要额外的电路设计或使用ESD保护元件
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