Ustinian 发表于 2025-2-5 16:39

沁恒的CH32V003支持内部flash给用户使用吗？

请问一下，沁恒的CH32V003支持内部flash给用户使用吗？如果要是内部flash可以使用的话，每次也是擦除一页吗？

caigang13 发表于 2025-2-5 21:58

MCU的flash是可以用于存储用户数据的

WCHTech2 发表于 2025-2-6 10:12

您好，请问一下关于你描述的内部FLASH具体是指哪块区域，如下图。FLASH可分为主存储器区域、bootloader区域和用户选择字区域。除了“厂商配置字”区域出厂锁定，用户不可访问，其他区域在一定条件下用户可操作。关于擦除，主存储器区域支持64字节擦除、1K字节擦除以及整片擦除，用户选择字区域擦除是擦除整个64字节。

chenjun89 发表于 2025-2-6 17:14

内部FLASH是可以用户读写的，可以用来存储一些不经常改变的值。

Augenstern星星 发表于 2025-3-12 15:02

沁恒CH32V003 是一款基于 RISC-V 内核的 32 位微控制器，其内部集成了 Flash 存储器，可以供用户程序存储和数据存储使用。

Carina卡 发表于 2025-3-12 19:17

CH32V003 内部 Flash 的使用内部 Flash 主要用于存储用户程序代码。用户数据存储Flash 的一部分可以划分给用户存储数据（如配置参数、日志等）。

Annie556 发表于 2025-3-12 22:51

其实用户可以通过特定的寄存器或库函数对 Flash 进行读写操作。

Espoironenext 发表于 2025-3-13 09:11

CH32V003 的 Flash 存储器通常以 页（Page） 为单位进行擦除。每次擦除操作会清除一整页的数据，而不是单个字节或字

Belle1257 发表于 2025-3-13 12:25

一般来说页大小需要参考 CH32V003 的数据手册，通常为 1KB 或 2KB。

Estelle1999 发表于 2025-3-13 14:07

我觉得Flash 存储器的擦写次数有限（通常为 10,000 次左右），频繁擦写可能导致 Flash 损坏。

BetrayalNO 发表于 2025-3-13 18:48

在擦除或编程操作期间，避免意外断电或复位，否则可能导致数据损坏

across往事 发表于 2025-3-13 22:04

部分 Flash 区域可能用于存储 bootloader 或关键代码，需避免误擦除。

EuphoriaV 发表于 2025-3-14 10:15

在进行 Flash 操作时，需注意擦写次数限制和数据保护，避免意外损坏。

B1lanche 发表于 2025-3-14 16:13

你要用flash是可以的，但是ISP部分好像是不行吧不知道了，反正flash有例程都，你可以试试

WhisperingTrees 发表于 2025-6-6 08:59

你的意思是掉电保存，flash可以吗？

WispOfReverie 发表于 2025-8-22 16:14

是可以的，但是掉电保存这个就不一定了

暖茶轻语 发表于 2025-8-28 21:24

支持用户使用，其内部 Flash 可被开发人员利用来存储相关数据

破晓战神 发表于 2025-9-5 18:49

是支持的。至于擦除，确实是以页为单位

光影捕手 发表于 2025-9-5 21:56

老哥 看下手册，一定条件下是可以的。

NebulaHaven 发表于 2025-9-28 14:24

Estelle1999 发表于 2025-3-13 14:07
我觉得Flash 存储器的擦写次数有限（通常为 10,000 次左右），频繁擦写可能导致 Flash 损坏。 ...

是的 flash是有次数限制的，多次擦写会损坏，但是会用到这么多次吗？
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