gejigeji521 发表于 2025-3-10 13:03

PWM控制NMOS开关电路发热一般是怎么回事？

PWM控制NMOS开关电路发热一般是怎么回事？

21mengnan 发表于 2025-3-13 10:09

没有完全打开吗？看看波形是不是发生了形变。

锵才才 发表于 2025-3-13 17:13

PWM频率过高导致管子频繁开关会增加功耗，另外PWM驱动能力不够导致管子无法快速关断也会增加功耗

gejigeji521 发表于 2025-3-14 14:25

锵才才 发表于 2025-3-13 17:13
PWM频率过高导致管子频繁开关会增加功耗，另外PWM驱动能力不够导致管子无法快速关断也会增加功耗 ...

另外IO设置为哪个模式合适呢？开漏、推挽、准双向？哪个合适？

wutaosamuel 发表于 2025-3-14 16:35

看MOS管的数据手册，看你MCU的IO驱动能力能不能完全达到MOS管的要求

锵才才 发表于 2025-3-20 17:05

gejigeji521 发表于 2025-3-14 14:25
另外IO设置为哪个模式合适呢？开漏、推挽、准双向？哪个合适？

开漏要加上拉电阻，切换速度稍慢，但隔离性好。推挽切换速度快，驱动能力也不错，一般建议用推挽，准双向似乎是用于特定的I/O

g36xcv 发表于 2025-3-27 15:35

频繁的开关会使 NMOS 发热严重。

wamed 发表于 2025-4-18 13:11

NMOS在PWM信号控制下频繁开关，当栅极驱动电压上升/下降速度不足时，开关过程会变慢，导致NMOS在导通和截止状态之间存在半导通区（此时电阻较大），产生较大功率损耗。

ewyu 发表于 2025-4-18 14:15

在开关过程中会通过米勒效应放大漏极电压变化，导致栅极电压振荡，延长开关时间，增加损耗。

pe66ak 发表于 2025-4-18 15:22

如果选用的NMOS导通电阻过大，或驱动电流不足导致NMOS未完全导通，损耗会显著增加。

miltk 发表于 2025-4-18 16:26

栅极驱动能力不足驱动电流过小，导致栅极电压上升/下降速度慢，开关时间延长。

gongqijuns 发表于 2025-4-18 17:43

负载电流超过NMOS的额定电流，导致过大的导通损耗。

hhdhy 发表于 2025-4-18 18:52

超过NMOS的耐压值，可能引发雪崩击穿，产生大量热量。

nuan11nuan 发表于 2025-4-18 21:03

封装散热能力不足，或PCB布局不合理，导致热量无法有效散发。

eleg34ance 发表于 2025-4-18 22:14

PCB走线寄生电感、电容在高频开关时产生振荡，增加损耗。

一切D都好 发表于 2025-4-19 10:07

PWM信号受干扰，导致NMOS误动作，增加开关损耗。

canfeil 发表于 2025-4-19 12:31

使用专用栅极驱动芯片（如IR2104、TPS28225），提供足够的驱动电流和电压。

玫瑰凋零日记 发表于 2025-8-29 13:31

PWM 控制 NMOS 开关电路发热，多因 NMOS 未工作在理想开关状态。一是导通电阻过大，选管时 Rds (on) 未匹配电流需求，导通时损耗发热；二是开关损耗高，PWM 频率过高或驱动电压不足，导致 NMOS 开关速度慢，在半导通状态耗电大；三是续流回路异常，如续流二极管反向恢复慢，产生额外功耗；此外，负载电流超 NMOS 额定值也会过热。

桃花落满山前 发表于 2025-9-14 15:22

PWM 控制 NMOS 开关电路发热，多因 NMOS 开关损耗过大。可能是导通电阻大，导通时功耗高；或开关频率过高，开关损耗增加；也可能驱动不足，导致开关速度慢，过渡损耗大；还可能散热不良，热量无法及时散发。

花开了相爱吧 发表于 2025-9-19 16:20

PWM 控制 NMOS 开关电路发热，多因 NMOS 未完全导通（导通电阻大）、开关频率过高导致切换损耗大、驱动电压不足使导通延迟、负载电流过大超出额定值，或散热设计不良。需检查驱动电路、频率设置及散热措施。
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