续流二极管问题
如果 MOSFET 控制的是 电机、继电器、线圈、变压器 等感性负载,关断瞬间会产生反向电压,可能会损坏 MOSFET 或导致其发热。续流二极管 反向恢复时间过长,导致关断瞬间有较大的反向电流流经 MOSFET,引起发热。
解决方案:
在 NMOS 并联肖特基二极管,以吸收感性负载的反向电流。
选用 快恢复二极管 或 超快恢复二极管。
一般用肖特基二极管,我在做一个类似项目,之前买的肖特基找不到了,刚去嘉立创下单买了几个。 那个电路走线也会产生一定的寄生电感 续流二极管如何选型呢,有研究吗 598330983 发表于 2025-3-28 13:44
续流二极管如何选型呢,有研究吗
小型继电器和电机多采用1n4007,其它场景没有见过别的型号。 具体如何优选? 在实际应用中,怎么确定选用肖特基二极管还是快恢复二极管呢 如果使用续流二极管后还是出现发热问题,那还有别的解决办法吗
如果电路中没有续流二极管,会有什么后果呢 小型继电器和电机多采用1n4007,那这个型号的二极管有什么优点呢 那个电路走线产生的寄生电感对续流二极管的影响大吗 我觉得类似电路,是不是驱动电机的,这里都不应该省略二极管,免得线路有电感。 这玩意好像随便一个都行,没啥选型要求吧。 这玩意儿是不能省的。 确实,续流二极管对于保护MOSFET非常重要。并联肖特基二极管是个不错的选择,它能有效吸收反向电流。
续流二极管选型时评估瞬时浪涌电流,需结合感性负载特性:
确定负载电流峰值:浪涌电流通常等于或接近负载正常工作时的最大电流(如电机堵转电流)。
电感储能计算:根据电感值 L 和关断前电流 I,储能为 0.5×L×I²,放电时通过二极管和回路电阻形成浪涌,峰值电流≈I + (电源电压 / 回路阻抗)。
关断时间影响:开关关断速度越快,电流变化率(di/dt)越大,浪涌峰值可能更高(需考虑线路寄生参数)。
参考二极管参数:需确保二极管的浪涌电流额定值(如 IFSM)大于计算峰值,通常留 2-3 倍余量。
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