Undshing 发表于 2025-4-22 13:09

芯片替换问题

同一个工程在GD32F103和STM32F103上运行，操作FLASH时GD32偶尔会进入HardFault。仿真发现是在解锁FLASH时发生的，这俩芯片的FLASH控制器差异这么大吗？

jcky001 发表于 2025-4-22 14:02

尽量使用 GD32 用官方固件库。

cr315 发表于 2025-4-22 14:03

建议阅读数据手册。

elephant00 发表于 2025-4-22 14:04

可以联系 GD32 的技术支持

ead5ah 发表于 2025-5-30 15:27

GD32 的 FLASH 解锁对 BSY 位状态更敏感。

t1ngus4 发表于 2025-6-17 18:26

GD32F103和STM32F103的FLASH控制器存在差异，可能导致GD32在操作FLASH时偶尔进入HardFault

d1ng2x 发表于 2025-6-17 19:33

擦除和写操作速度差异：GD32F103的Flash擦除和写操作比STM32F103慢，但读操作要快。

g0d5xs 发表于 2025-6-17 20:42

如果GD32F103的FLASH操作超时设置不当，可能导致在解锁或擦除过程中进入HardFault。

cen9ce 发表于 2025-6-17 21:45

可以尝试修改Flash擦除和编程超时宏定义，如将EraseTimeout和ProgramTimeout设置为更大的值。

b5z1giu 发表于 2025-6-17 23:16

内部逻辑和输出波形差异，GD32F103在某些模式下（如SPI主机模式）的内部计数器逻辑可能受CLK引脚电平变化干扰，使得内部逻辑和输出波形发生错误。

q1ngt12 发表于 2025-6-18 06:25

虽然这主要影响SPI通信，但也可能暗示GD32F103在内部时序控制上与STM32F103存在差异，这种差异在FLASH操作中也可能体现出来。

su1yirg 发表于 2025-6-18 08:31

GD32F103的外设寄存器映射和寄存器定义可能与STM32F103略有不同。

tax2r6c 发表于 2025-6-18 10:09

在操作FLASH时，如果寄存器操作不当（如未正确解锁、擦除或写入），也可能导致进入HardFault。

q1d0mnx 发表于 2025-6-18 12:01

一般来说GD32F103和STM32F103在电源和复位管理方面也可能存在差异。如果电源不稳定或复位信号异常，也可能影响FLASH操作的稳定性。

l1uyn9b 发表于 2025-6-18 13:12

这俩应该也不能完全兼容的吧，你这么操作也不行啊

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