捧一束彼岸花
发表于 2025-5-16 09:26
STM32G0的Flash擦写次数限制在实际应用中影响显著，若未优化，高频写入将导致Flash快速失效。
内政奇才
发表于 2025-5-16 17:16
若在同一位置频繁擦写，可能在使用寿命内达到极限，导致数据保存异常。
flycamelaaa
发表于 2025-5-16 17:17
可以采取分区域写入或者磨损均衡算法延长Flash寿命
powerantone
发表于 2025-5-16 17:17
采用循环存储策略，用空间换取时间。
probedog
发表于 2025-5-16 17:19
对保存的数据进行压缩，减少实际写入量，从而降低Flash的擦写频率。
将爱藏于深海
发表于 2025-5-16 21:13
超高频写入场景可以考虑使用外部EEPROM+Flash冗余备份
stormwind123
发表于 2025-5-16 22:00
用EEPROM仿真可减少实际写入量，延长Flash寿命。
慢醇
发表于 2025-5-31 18:34
延迟写入，先存到 RAM，条件满足（如定时、掉电中断）再写 Flash
小迷糊仙
发表于 2025-6-3 22:27
新人来学习