Bblythe
发表于 2025-6-14 07:19
L4写EEPROM慢得离谱
用HAL库写一次就要几十ms，还不一定成功，要不要直接改寄存器算了？
Clyde011
发表于 2025-6-14 07:21
EEPROM模拟搞不好容易掉电丢数据。
公羊子丹
发表于 2025-6-14 07:21
用FLASH模拟EEPROM确实慢，设计就那样。
周半梅
发表于 2025-6-14 07:22
有时候对齐写入能快一点。
帛灿灿
发表于 2025-6-14 07:23
写之前记得解锁FLASH寄存器不？
童雨竹
发表于 2025-6-14 07:23
写完必须等BSY位清空再写下一个。
万图
发表于 2025-6-14 07:24
建议做页缓冲写入，能快不少。
Wordsworth
发表于 2025-6-14 07:25
用HAL库慢死了，建议直接用寄存器写。
Bblythe
发表于 2025-6-14 07:26
有没有试过压缩写，数据少改少写。
Pulitzer
发表于 2025-6-14 07:26
写EEPROM别在主循环做，挤爆系统。
Uriah
发表于 2025-6-14 07:27
也许你写太频繁了，应该做缓存。
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