Estelle1999 发表于 2025-9-11 11:54

DDR5 内存架构在未来的发展中有哪些技术规划和可能性?

随着数据量的快速增长,存储容量需求不断提高,DDR5 内存架构在未来的发展中,对于进一步提升存储容量有哪些技术规划和可能性?

Espoironenext 发表于 2025-9-23 20:48

DDR5 的设计允许单个存储芯片达到 64Gbit 的密度,这比 DDR4 的最大 16Gbit 密度高出 4 倍。随着制造工艺的不断进步,单芯片存储密度还有进一步提升的空间,从而直接增加内存的整体容量。

Annie556 发表于 2025-9-24 11:48

可以将多达 8 个管芯堆叠为一个芯片,通过这种方式,40 个单元的 LRDIMM 可以达到 2TB 的有效存储容量,无缓冲 DIMM 在典型双列配置下容量可达到 128GB。

Alina艾 发表于 2025-9-24 12:56

三星提出的对称马赛克架构,将每个逻辑存储体分为 ⅓ 和 ⅔ 分区,作为逻辑存储体不同分区的对称镶嵌体间隔开,在不改变晶圆厂工艺和超出 JDEC 规定的 DDR5 外形尺寸限制下,使 DRAM 容量增加一倍,同时水平面积仅增加 1.5 倍,垂直面积仅增加 1.33 倍。

Carmen7 发表于 2025-9-24 13:33

随着半导体制造工艺向更小的节点发展,如小于 10nm 的 DRAM 节点逐渐成熟,能够在相同的芯片面积上集成更多的存储单元和电路元件,从而提高存储容量。同时,新的制造工艺还可以提高芯片的性能和可靠性,为更高容量的内存提供支持。

Betty1299 发表于 2025-9-24 14:21

先进的封装技术如多芯片封装(MCP)、系统级封装(SiP)等,可以将多个 DDR5 芯片或其他相关组件封装在一起,在有限的空间内实现更大的存储容量。此外,新型封装技术还可以改善散热性能和电气性能,有助于提高内存的稳定性和工作效率。
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