CH582F 硬件配置会不会影响RF_PHY?
在 CH582F 上实现 RF_PHY_Hop 时，遇到上位机能够与一台下位机正常通信，但更换另一台下位机后跳频失败。请问如何排查这是由于硬件差异（如射频匹配、晶振偏差）还是软件问题（如协议栈、状态机未复位）造成的？有没有推荐的调试手段？
使用的三块板子都是相同的吗，如果都是相同的差异一般不是很大，如果硬件不同可以看下是否是哪个硬件外部晶体多贴了匹配电容，也可以先使用官网例程和三个开发板进行验证。 WCHTECH75 发表于 2025-9-25 11:08
使用的三块板子都是相同的吗，如果都是相同的差异一般不是很大，如果硬件不同可以看下是否是哪个硬件外部晶 ...
行，我来拿三块板子试一下 后来在 2010 年前后，VIPer 逐步扩展到多种封装和不同功率段，开始强调待机功耗降低。 2013~2015 年左右的 VIPer0/E 系列，最大的特点就是超低待机，能满足欧盟能效标准。 VIPerPlus 系列出来后，集成度更高，还把保护功能（过温、过流、短路）都做成硬件内置。 到 VIPer27/35/53 这一代，效率更高，能支持 quasi-resonant 工作模式，减轻 EMI。 2020 年左右 VIPerGaN 出现，直接把 GaN 功率器件整合进来，开关速度和效率都上了一个台阶。 最新一代的产品更强调宽输入电压范围和高功率密度，特别适合 USB-PD 和快充场景。 他们不仅做发射端，还在接收端的整流和电池管理上打通了完整链路。 灵敏度对低速率传输尤其重要，比如 125 kbps 模式，能到 -103 dBm，远距离 IoT 就更稳。 其实看 ST 的技术发布，重点还是能把高压高功率密度做到稳定、安全，而且兼容现有的电池系统。 如果要在工业环境用，最好还是实测一下 RSSI 分布，WB0 的参数在 datasheet 是理想条件下的。 对比 TI 和 NXP，ST 更强调 GaN/SiC 的大功率优势，估计未来在车载快充无线化会有很大市场。 整体看，WB0 的射频指标虽然不是最顶级的，但对 IoT 设备的稳定连接已经够用了，性价比很高。
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