小功率MOS管发热的问题
MOS管的型号SI1563DH,作为电源控制开关用,之前的批次均没问题,最近在产品走订单的时候这一批次的管子发热很厉害,上电一会儿有的就烫手。怀疑是管子的品质问题,我就自己测试了一下NMOS,GS电压4.5V,漏极电压10V,然后改变负载,测量导通电阻和datasheet对照,这样可以么,第一次碰到,求指导 自己顶一下测量导通电阻是可行的, 只是只有 0.x 欧姆, 电路电流不大的话, 不知道的能不能测准. 通电测试导通电压,和datasheet对照。 airwill 发表于 2013-9-13 16:42 static/image/common/back.gif
测量导通电阻是可行的, 只是只有 0.x 欧姆, 电路电流不大的话, 不知道的能不能测准. ...
实际测试了一下,确实不好测,电流大的时候发热,导通电阻是正温度系数,导致测试数据失真,不太好判断,直接找了颗替代芯片解决的 opal11 发表于 2013-9-13 23:53 static/image/common/back.gif
通电测试导通电压,和datasheet对照。
理论上是可行的的,实际操作有点难度 住nmos管漏极做输出驱动时需要自举电路,否则就会出现严重发热的现象。 851628528 发表于 2013-9-17 17:03 static/image/common/back.gif
住nmos管漏极做输出驱动时需要自举电路,否则就会出现严重发热的现象。
不太明白,愿闻其详 yu080301021 发表于 2013-9-17 17:10 static/image/common/back.gif
不太明白,愿闻其详
nmos,Vgs>Vth(几伏到几十伏不等),如果此时你的接法是这样:D极接电源vcc,s极接负载到地,此时就算g极接到vcc,Vgs也达不到Vth(几伏到几十伏不等)的要求,这是为什么呢?因为mos管的导通电阻只有毫欧级别,要让Vds有1v到10几v的压降那得多大的电流啊。所以想让nmos处于饱和导通状态,必须加在g极的电压要高于电源电压几伏到几十伏不等,这就是nmos驱动时必须加自举电路的原因。一个处于非饱和状态的mos管,Rds将是相当可观的,就算有10欧姆,流过3a的电流,自身功耗就会有30w,能不烫吗,能不烧吗。这是我对mos管的理解。 851628528 发表于 2013-9-23 09:15 static/image/common/back.gif
nmos,Vgs>Vth(几伏到几十伏不等),如果此时你的接法是这样:D极接电源vcc,s极接负载到地,此时就算g极接 ...
学习了 谢谢
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