2个IO口,一个键盘实现开关机
以前论坛出现过一个键盘实现开关机,想用的时候我怎么也找不到了<br />于是画了一个,还没有测试呢<br /><br />MCU需要支持强山拉输出,要不然需要改动电路,MCU复位之后IO应该是高阻状态,51的系列可能出出现振荡,需要调整电路<br />http://blog.21ic.com/UploadFiles/2008-8/11259283427.jpg不错的电路~~~S1上加个104可能更好~~~Q1用PMOS也不错~~~
能得到老Hot的“不错”我先去飘一会儿
就不能解释一下原理吗
简要原理
错了不要打PP就好:<br />用在电池供电上<br />关机检测IO负责检查开关是否被按下,若开关按下该IO为:0,则控制IO输出0 ,关闭Q2,Q2截止,按键被释放后,Q1因b极没有电流而截止于是关闭<br />开启:按下开关后,Q1的B通过二极管和开关构成回路,Q1导通,导通后系统开启,系统执行初始化之后,MCU开启控制IO输出1,检测IO经过一段延时后进入关机检测搞这么复杂,直接在电源处接个开关不行么?
呵呵,LS,现在都流行轻触按键开关机或软件开关机
不错不错
学习了再改改吧!
lz有没想过要按多长时间才开得了机呢?能轻触吗?应该比手机按下开机的时间短了
上电MCU完成复位,初始化,执行开机估计100ms足够用了<br />有时间我测试一下 有点问题
有点问题,Q1的基极电压是R6、R7和Q2导通内阻的分压结果,Q1不可能完全关断,R6应接到R7下面。R8、R9也有一样的问题,R9应接到R8的右侧。LS想的很全面
对于Q2来说,只要Vbe>0.7V就会进入饱和状态,所以这个接法基本不会影响Q2的工作,而关断时候更加快速<br />对于Q1 来说只要Vbe < -0.7V 就会进入饱和状态,同样,当Q2关闭后,由R6把Q1的b上拉到和e一样高的电压,Q1关闭<br />三极管的Vce压降受到Ibe的影响,因为后面系统电流很小,所以Vce影响不算大自顶一次,希望访问过300
然后任其沉浮了我的图又被21ic吃掉了
曾经补过两次图,晕....<br /><br /><a href="https://bbs.21ic.com/club/bbs/showEssence.asp?id=7880&page=1" target=_blank>https://bbs.21ic.com/club/bbs/showEssence.asp?id=7880&page=1</a>这样如何
https://bbs.21ic.com/upfiles/img/200710/2007108163326543.jpgD1用1N4148可能不稳定
D1用1N4148可能不稳定,最好用1N5819,特别是当S1为导电橡胶开关的时候小小一个开关那来这么复习的,不明白!
16楼的有道理
导电橡胶电阻大,4148压降大,可能会引起该IO的TTL电平出现在识别的边沿上,引起不被识别问题 用薄膜开关会有什么问题吗LZ这个电路测试过了么? 如果想纯硬件实现请参考此贴,
https://bbs.21ic.com/icview-84272-1-1.html
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