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配置去耦电容

已有 604 次阅读2007-3-3 09:23 |个人分类:study|系统分类:网上好文| 去耦


配置去耦电容


在直流电源回路中,负载的变化会引起电源噪声。例如在数字电路中,当电路从一个状态转换为另一种状态时,就会在电源线上产生一个很大的尖峰电流,形成瞬变的噪声电压。配置去耦电容可以抑制因负载变化而产生的噪声,是印制电路板的可靠性设计的一种常规做法,配置原则如下:

  电源输入端跨接一个10100uF的电解电容器,如果印制电路板的位置允许,采用100uF以上的电解电容器的抗干扰效果会更好。
  为每个集成电路芯片配置一个0.01uF的陶瓷电容器。如遇到印制电路板空间小而装不下时,可每410个芯片配置一个110uF钽电解电容器,这种器件的高频阻抗特别小,在500kHz20MHz范围内阻抗小于,而且漏电流很小(0.5uA以下)。
  对于噪声能力弱、关断时电流变化大的器件和ROMRAM等存储型器件,应在芯片的电源线(Vcc)和地线(GND)间直接接入去耦电容。
  去耦电容的引线不能过长,特别是高频旁路电容不能带引线。

路过

鸡蛋

鲜花

握手

雷人

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