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标题: 请教:MOS管作为开关不受控 [打印本页]

作者: DIYDIY DIY    时间: 2017-12-13 08:00
标题: 请教:MOS管作为开关不受控
[attach]957664[/attach]工作中发现R1=15K,R2=0的时候MOS管不受控,上电就导通,但是如果把R1换成100K,或者把R1 R2都换成2K就好了,这是为什么,R1 R2的作用是什么

作者: PPDDPPDD1234    时间: 2017-12-13 08:20
三极管B端悬空?
作者: DIYDIY DIY    时间: 2017-12-13 08:31
PPDDPPDD1234 发表于 2017-12-13 08:20
三极管B端悬空?

三极管B端用GPIO控制
作者: 一周一天班    时间: 2017-12-13 08:41
mcu在上电过程中gpio是高阻悬空的,三极管b极悬空,就是问题所在。
作者: DIYDIY DIY    时间: 2017-12-13 08:48
一周一天班 发表于 2017-12-13 08:41
mcu在上电过程中gpio是高阻悬空的,三极管b极悬空,就是问题所在。

但是改了阻值就好了,原理是什么?这两个电阻的作用是什么
作者: lfc315    时间: 2017-12-13 10:26
还有这么神奇的事情
作者: xch    时间: 2017-12-13 10:33
R1提供放电通道,电阻值越小关闭速度越快。R2是分压电阻。与R1一起将驱动电压分压,防止击穿MOSFET GS
作者: DIYDIY DIY    时间: 2017-12-13 10:47
xch 发表于 2017-12-13 10:33
R1提供放电通道,电阻值越小关闭速度越快。R2是分压电阻。与R1一起将驱动电压分压,防止击穿MOSFET GS ...

意思是R1越小会导致这个MOS管更加快速的导通?   R2的作用在R1是小阻值的情况下,起保护作用,是这么理解么?
作者: DIYDIY DIY    时间: 2017-12-13 11:06
@maychang 请教
作者: zhongfushun    时间: 2017-12-13 12:20
有问题吧,三极管直接接GPIO不用串个电阻?
作者: DIYDIY DIY    时间: 2017-12-13 12:31
zhongfushun 发表于 2017-12-13 12:20
有问题吧,三极管直接接GPIO不用串个电阻?

目前来看不用
作者: dhheng    时间: 2017-12-13 15:15
在三极管基极接一个10K电阻到地
作者: chenwei6991627    时间: 2017-12-13 15:58
R 1值要大点,三极管基极要有电阻,控制信号要固定,高电平PMOS导通
作者: DIYDIY DIY    时间: 2017-12-13 16:01
chenwei6991627 发表于 2017-12-13 15:58
R 1值要大点,三极管基极要有电阻,控制信号要固定,高电平PMOS导通

“R 1值要大点”原理是?
作者: 一事无成就是我    时间: 2017-12-13 19:42
没啥奇怪的,这个我以前遇到过,最后的结论是三极管漏电所致
作者: 奥巴羊    时间: 2017-12-13 20:53
你查看一下三极管基极与MOS管栅极之间存在多大的电阻。
作者: DIYDIY DIY    时间: 2017-12-14 08:58
奥巴羊 发表于 2017-12-13 20:53
你查看一下三极管基极与MOS管栅极之间存在多大的电阻。

为什么要看他俩之间的电阻呢?这个影响R1的阻值选择?
作者: 奥巴羊    时间: 2017-12-14 14:25
DIYDIY DIY 发表于 2017-12-14 08:58
为什么要看他俩之间的电阻呢?这个影响R1的阻值选择?

据你所述,R1=15K,R2=0K,上电导通,不过R1=100K后,反而不存在这个问题,这个基本可以排除三极管漏电的可能,之后你把R1和R2都换成2K,也不会存在这个问题,如果只是把R1换成2K的话,肯定会出现上电导通的问题,不过同时把R2换成2K,就不存在这个问题,在这里,我觉得有可能是电路焊好后,三极管基极与MOS管栅极因焊接问题存在通路,还有你试着将R1=15K,R2=2K会不会出现问题。
作者: caijie001    时间: 2017-12-14 15:43
xch 发表于 2017-12-13 10:33
R1提供放电通道,电阻值越小关闭速度越快。R2是分压电阻。与R1一起将驱动电压分压,防止击穿MOSFET GS ...

是这样子的吗?先回复看看。
作者: caijie001    时间: 2017-12-14 15:43
zhongfushun 发表于 2017-12-13 12:20
有问题吧,三极管直接接GPIO不用串个电阻?

一般可以串,也可以不串吧
作者: 山东电子小菜鸟    时间: 2017-12-14 17:13
本帖最后由 山东电子小菜鸟 于 2017-12-14 17:23 编辑

上电瞬间 对MOS管结电容充电 ,你用10K时  相对于100K而言  充电时间很短  迅速达到VCC电压  因此MOS导通  当你用100K 时 充电时间相对于10K而已延迟大约10倍  在这个时间段内,CPU已经完全启动完成 使电路脱离了虚电平状态  从而正常工作       r1不变,增加R2 时,从交流回路中可以看出,由于上电瞬间 三极管有漏电流存在 R2本身充当了泄放电压 与延迟充电时间双重功能 不足以达到MOS开启电压  因此不会开启    虽然两种方法表面上看起来 上电时不会开启  但都不是稳定的 在存在干扰情况下  无法保证不出问题
作者: xiaxingxing    时间: 2017-12-14 21:11
山东电子小菜鸟 发表于 2017-12-14 17:13
上电瞬间 对MOS管结电容充电 ,你用10K时  相对于100K而言  充电时间很短  迅速达到VCC电压  因此MOS导通   ...

你好,你这里指的充电时对gs之间的电容充电吗??没上电钱,GS两端的电压为零,上电后,GS两端的电压都是12v,怎么会有充电的过程呢?求指导,谢谢!
作者: DIYDIY DIY    时间: 2017-12-15 17:30
奥巴羊 发表于 2017-12-14 14:25
据你所述,R1=15K,R2=0K,上电导通,不过R1=100K后,反而不存在这个问题,这个基本可以排除三极管漏电的 ...

今天试了一下,15K跟2K,没出问题
作者: DIYDIY DIY    时间: 2017-12-15 17:35
山东电子小菜鸟 发表于 2017-12-14 17:13
上电瞬间 对MOS管结电容充电 ,你用10K时  相对于100K而言  充电时间很短  迅速达到VCC电压  因此MOS导通   ...

又试了一次2K2K的搭配发现MOS管坏了,这有可能是R2的值选择太小,没有起到足够的泄放电路,被漏电流击穿导致的吗
作者: xch    时间: 2017-12-27 10:01
DIYDIY DIY 发表于 2017-12-13 10:47
意思是R1越小会导致这个MOS管更加快速的导通?   R2的作用在R1是小阻值的情况下,起保护作用,是这么理解 ...

你语文够呛。外国人吗?
作者: xch    时间: 2017-12-27 10:10
DIYDIY DIY 发表于 2017-12-15 17:35
又试了一次2K2K的搭配发现MOS管坏了,这有可能是R2的值选择太小,没有起到足够的泄放电路,被漏电流击穿 ...

驱动电压不足导致MOS不能充分导通。负载电流大了就烧了MOS。 一般MOS GS 耐压有15V. 栅极串联的电阻可以用100欧姆。
作者: DIYDIY DIY    时间: 2017-12-27 13:04
xch 发表于 2017-12-27 10:01
你语文够呛。外国人吗?






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