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标题: 如何区分开关管与放大管 [打印本页]

作者: 爱发烧 时间: 2019-2-4 12:37
标题: 如何区分开关管与放大管
如何区分开关管与放大管

作者: SUUY79 时间: 2019-2-4 13:11
对于一般的应用来说，开关管也有放大区域，放大管也可以工作在开关区域，这个由三极管的特性曲线决定！国产比如，3DD:放大管，3DK：开关管

作者: hk6108 时间: 2019-2-4 17:44
线性，耐压，功耗耐量，饱和压降，
有没有发觉，两种管的分别，跟运放与比较器的分别正好配套！

作者: 你瞅啥 时间: 2019-2-4 18:10
跟运放和比较器没法比，跟74和74LS的区别可以比。
74LS系列的芯片，内部三极管在be之间加了一个肖特基二极管，当进入三极管进入深度饱和区Vce小于0.3V的时候把一部分基极电流Ib漏到e极，可以避免进入深饱和区，从而提高了开关速度。

作者: hk6108 时间: 2019-2-4 20:14

你瞅啥发表于 2019-2-4 18:10
跟运放和比较器没法比，跟74和74LS的区别可以比。
74LS系列的芯片，内部三极管在be之间加了一个肖特基二极 ...

阁下说的是贝克钳位吗？
肖特基管正向压降跟硅PN结开启门限相当甚至稍低，
並联于集电结则相当于电压並联负反馈，作用正是藉分流而不让管子饱和，开关电源技术也有这用法。

作者: 费晸 时间: 2019-2-5 01:18
开关管需要过驱动，发射结的设计需针对储存效应，放大管可不考虑。

作者: 费晸 时间: 2019-2-5 01:27
区分方法，小功率的较难判别，大功率的，可从饱和电压的大小或正反向耐压的差距来估摸。

作者: hk6108 时间: 2019-2-5 22:59
没有绝对方法。

作者: 爱发烧 时间: 2019-2-6 08:18

SUUY79 发表于 2019-2-4 13:11
对于一般的应用来说，开关管也有放大区域，放大管也可以工作在开关区域，这个由三极管的特性曲线决定！国产 ...

大师，如果在电路图是如何区分呢

作者: 爱发烧 时间: 2019-2-6 08:20

费晸发表于 2019-2-5 01:18
开关管需要过驱动，发射结的设计需针对储存效应，放大管可不考虑。

请问大师发射极要针对储存效应是什么意思

作者: chunk 时间: 2019-2-6 15:13
顺道问一句：ECL逻辑中的晶体管究竟工作在开关状态还是放大状态？

作者: hk6108 时间: 2019-2-6 15:24

chunk 发表于 2019-2-6 15:13
顺道问一句：ECL逻辑中的晶体管究竟工作在开关状态还是放大状态？

逻辑电路属于脉冲及数字电路，
管子的表现跟开关电路相若，但不是以开关电源技术的方式来驱动的。

作者: 爱发烧 时间: 2019-2-6 15:57

chunk 发表于 2019-2-6 15:13
顺道问一句：ECL逻辑中的晶体管究竟工作在开关状态还是放大状态？

哈哈，你又难处我了，我还在看书。从图纸还不知道如何分析开关管和放大管的区别

作者: 你瞅啥 时间: 2019-2-6 17:41

爱发烧发表于 2019-2-6 08:20
请问大师发射极要针对储存效应是什么意思

[attach]1176026[/attach]

ts就是storage time，是深饱和恢复时间，图中画的跟tdelay，trise，tfall差不多大，但实际上ts比其它三个大多了，是影响开关电路速度的决定性因素。

作者: hk6108 时间: 2019-2-6 18:08
临界线，放大与饱和两区的接壤处，在速度与管耗间取得平衡。

作者: SUUY79 时间: 2019-2-6 23:34
本帖最后由 SUUY79 于 2019-2-6 23:36 编辑

[attach]1176038[/attach]爱发烧发表于 2019-2-6 08:18
大师，如果在电路图是如何区分呢

看图，放大管和开关管的区别：
一般来说，放大管希望放大区域越大越好
而对于开关管，希望放大区域越小越好！

这个回复搞了好长时间，我确实还不知道如何才能上传图片
算了，这么跟你说吧，三极管的本质是利用Ib控制IC,理想情况下IC=β*Ib，这个里面β就是三接管的放大倍数
那么有三种情况：
1、三极管的IB=0,此时IC=0,三极管工作于截止区。该状态可以称为开关管的关断状态0
2、三极管的IB>0,此时IC=β*Ib,三极管工作于放大区。这种状态就是模拟信号中最常见，就是你说的放大管
3、三极管的IB>>0,此时IC≠β*Ib,三极管工作于饱和导通区。这种状态就是数字信号中最常见，这种状态就是开关管的导通状态1

当然，一般中低频应用问题不大，但是对于高频来说，放大管与开关管在构造上还是有很大区别的，这个主要是三极管的结电容对开关速度影响很大，会增加TON和TOFF的时间，不过这些都是数字信号的内容了，暂且不表。

作者: aydf369 时间: 2019-2-7 09:35
学习学习。。

作者: hk6108 时间: 2019-2-7 13:59
本帖最后由 hk6108 于 2019-2-7 14:00 编辑

还未写好

作者: hk6108 时间: 2019-2-7 14:14

……一般来说，放大管希望放大区域越大越好，而对于开关管，希望放大区域越小越好！……

愈小愈好的，应该是饱和压降吧，不过，跟
FET 不同， BJT是以结运作的，不是沟道，以结运作，就会受结的伏安特性制约，当集电结的正偏达到门槛电压，饱和压降就下不去。

作者: hk6108 时间: 2019-2-7 15:19
至于结电容，
由于 “电压不能突变” 及旁路作用，对开关电路的影响比线性系统更严重，所以，开关管的设计在结电容问题上费煞苦心，
结电容与存储效应，都是拖后腿的，不过，作用的机制及环节不一样，结电容影响的是反应时间，即是由驱动发出至 PN结吃到讯号的时间，存储效应则关系到 PN结本身动作的快慢。

作者: hk6108 时间: 2019-2-7 18:38
只要是BJT，不管以甚么材料造成，饱和压降都是跑不掉的，大电流，高频，高速，高耐压，高功率，高β 都行，唯饱和压降没治！

作者: hk6108 时间: 2019-2-7 18:47

费晸发表于 2019-2-5 01:27
区分方法，小功率的较难判别，大功率的，可从饱和电压的大小或正反向耐压的差距来估摸。 ...

饱和压降是跟PN结的正向伏安特性相关的，
同样的材料，开关管跟放大管相差无几，想小小不了，想大也大不来 (达林顿是串联相加，不在这讨论范围)。

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