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标题: 画了个单片机控制N MOS开关，不知道哪里有问题 [打印本页]

作者: vio 时间: 2020-9-19 09:30
标题: 画了个单片机控制N MOS开关，不知道哪里有问题
本帖最后由 vio 于 2020-9-19 09:30 编辑

[attach]1540304[/attach]这是一个通过单片机控制后端负载通断的电路。总感觉哪里不对，模电渣渣。然后网上说光耦驱动电流不够，我不是很懂，mos管是电压驱动器件，关电流啥事。

作者: Siderlee 时间: 2020-9-19 10:55
是你设计的驱动能力不够，因为串联的电阻太大；

关于MOS，确实是电压驱动型概念，但是开通和关断的瞬间就靠门级串联的电路限制电流的，你看看MOS的等效电路

作者: 戈卫东 时间: 2020-9-19 11:59
如果是静态开关，这样用是可以的。
如果有开关速率需求，则电流可能不够。

作者: vio 时间: 2020-9-19 14:09
网上搜了一下确实驱动电流小的话会影响mos开关瞬间的速度，驱动电流相对大的话上升下降沿会陡，然后找到了一个专用驱动光耦，关键名字有意思TLP250特.朗.普贰佰伍

作者: 一事无成就是我 时间: 2020-9-19 22:13
为啥要电流，因为要给节电容充电呀，充放的越快，自然开关速率也就越快。充的慢，自然导通电阻就会从大到小变化，自然就出现了拖沓

作者: jazzyfox 时间: 2020-9-20 19:32
817有效导通，mcu需要输出的电流不小，这样不太合适

作者: vikey_zhu 时间: 2020-9-21 17:27
[attach]1541488[/attach]把电路改成这样。那个电阻用100R

作者: xxyyzz123 时间: 2020-9-21 19:59
本帖最后由 xxyyzz123 于 2020-9-21 20:15 编辑

光耦不是开关。电流转移比很小的。
现在国产垃圾替代817，转移比可能小于10%。
前向电流不到0.5毫安，转过去电流可能只有50微安，10K电阻上电压，不到1V，MOSFET开通不了。把R667改成100欧左右，保障电流有10毫安，估计就够了。也可以把817改用达林顿有源输出级的。就够了。老一点的芯片IO脚，都不能驱动5毫安电流。不过现在的CPU，一般都能驱动20毫安以内的电流，可驱动一般的LED二极管。如果驱动不了，只能再加一个三极管。
以手册指标为准吧。

作者: xxyyzz123 时间: 2020-9-21 20:07
本帖最后由 xxyyzz123 于 2020-9-21 20:24 编辑

vikey_zhu 发表于 2020-9-21 17:27
把电路改成这样。那个电阻用100R

你这个方法是最差

作者: 15156889380 时间: 2020-9-24 16:21
光耦的IF和IC是有一个转移比CTR的，这个电路给的Vgs不一定能让mosfet导通。楼上说的“因为要给节电容充电呀，充放的越快，自然开关速率也就越快”我也是第一次听说，学习到了！

作者: 稀饭放姜 时间: 2020-10-5 12:08
GND都一起了，要光耦干啥。负载端反向并联二极管。直接用三极管驱动电路驱动MOS

作者: vitohu 时间: 2020-10-9 14:01

稀饭放姜发表于 2020-10-5 12:08
GND都一起了，要光耦干啥。负载端反向并联二极管。直接用三极管驱动电路驱动MOS ...

不考虑隔离，光耦在这里多余

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