问答

由于加载不了图片，所以这里就文字描述一下：有一个基于3904三极管的数/模转换电路（共E极），输入是数字音频信号，在实际测试中，当数字信号输入时，输出信号会立马拉到最低，然后慢慢上升，当输入音频信号结束时，这输出信号则立马达到最大，所以输出信号开始和结束时的信号很陡峭，使得后面的喇叭每次播放和结束声音时会出现“哒”的一声，那么我们大概要怎么调这三极和线路呢？[font="][size=10.5pt] [/size][/font]

[color=#444444][backcolor=rgb(255, 255, 255)][font=微软雅黑]寻找BW 16GHz 以上的MOS管或三极管。[/font][/backcolor][/color] [color=rgb(68, 68, 68)][font=微软雅黑]BW 指导通后D-S通道或C-E通道带宽[/font][/color] [color=rgb(68, 68, 68)][font=微软雅黑]我找了一部分MOS管都没有列出此指标。所以寻求帮助。[/font][/color]

三极管共射电路的电路为什么从集电极输出？

三极管和MOS管驱动电路的使用方法

MOS管及三极管的工作原理有什么区别

TO-92的封装，上面就印刷着304S这几个字。不知道是什么产品。查资料也查不到。 请高手们指点。这是什么管子，能否用其他的管子代替？

请问达人，P沟道MOS管在做开关电路应用时，为什么要额外用另一个MOS管或者三极管来控制P沟道MOS管的栅极？为何不能直接将控制信号直接连接到P沟道MOS管的栅极，直接控制P沟道MOS管的开关？[url=//bbs.21ic.com/data/attachment/album/202012/08/134221vht69ly69ylmd1js.png][img]//bbs.21ic.com/data/attachment/album/202012/08/134221vht69ly69ylmd1js.png[/img][/url][url=//bbs.21ic.com/data/attachment/album/202012/08/134229co60p409v790ekk0.png][img]//bbs.21ic.com/data/attachment/album/202012/08/134229co60p409v790ekk0.png[/img][/url]

[i=s] 本帖最后由 32021724 于 2020-12-1 18:04 编辑 [/i] 最近在给一个可调光的led驱动电源做控制器，挂个图吧 [attach]1584344[/attach]LED调光电源输出可调的恒流信号，电源有2根调光信号线，一正一负，可以用0~10V调光，也可以用10V的PWM占空比调光，占空比低于8%电源就把输出断开，这样就能把灯关掉 常理说单片机定时器输出3.3V的PWM，然后用三极管配合上拉电阻拉到10V就能输出这个10V的PWM了，类似下面这个 [attach]1584346[/attach] 实际测试工作良好，除了因为高电平是电阻拉出来的导致上升沿不是那么陡以外，其他功能正常，关灯也正常 但是自己手欠了，想吧方波做漂亮点（上升沿下降沿都陡一点），于是想起了单片机IO用的push pull输出，于是去网上找了找资料，搭了下面这个基于三极管的推挽输出电路 [attach]1584350[/attach] 然后问题就来了，输出波形到还可以，实际用示波器看了看电路的上升下降都不错。结果接上那个led电源就出事儿了，始终没办法把灯关掉，然后量了一下电路输出，发现单片机控制电路输出0V时，电路输出始终有一个500mV左右的电压在，把led电源去掉就没了。回去看了电源说明书发现电源这个调光信号线为了兼容外置电阻调光，内部好像有个恒流源在往外输出电流信号（越100uA，仿真图里的输出端的10K电阻就是为了模拟这个电流信号），结果这个信号加在我的电路输出端就出现这个500mV的电压了。 自己以前没有这么倒着用过三极管，之前都是npn放下面驱动蜂鸣器，pnp放上面驱动数码管啥的，现在这个电路是npn在上pnp在下，通过仿真和定性分析，我大概能猜一下这个电路是怎么工作的，但是这个500mV的电压我搞不明白是怎么来的，三极管才吞进去100uA，饱和压降不应该有500mV这么高，看上去感觉像是下面这个PNP管CE极倒着用产生的。 所以想请教一下大佬们，这个500mV的信号是怎么由三极管产生的，另外能减小这个电压不能，先在此谢过各位大佬，望不吝赐教。

如图中的Q2203用的是DTS4501的P MOS电路,他的输入电压为24V，现在主控通过一个三极管进行控制MOS管的导通，现在出现了一部分电路工作正常，一部分工作不正常的问题，请问这是为什么？

[i=s] 本帖最后由 509930775 于 2020-9-28 15:24 编辑 [/i] 下图是我的原理图，下面左右两个三极管控制4个MOS组成H桥，为什么在三极管关断时，一直有个8V左右电压台阶，而不是直接为0V？是三极管没完全关断还是电极片存储的电压？波形是OUT1与OUT2之间的波形

1、工作性质：三极管用电流控制，MOS管属于电压控制. 2、成本问题：三极管便宜，mos管贵。 3、功耗问题：三极管损耗大。 4、驱动能力：mos管常用来电源开关，以及大电流地方开关电路。 三极管比较便宜，用起来方便，常用在数字电路开关控制。 MOS管用于高频高速电路，大电流场合，以及对基极或漏极控制电流比较敏感的地方。 MOS管不仅可以做开关电路，也可以做模拟放大，因为栅极电压在一定范围内的变化会引起源漏间导通电阻的变化。 二者的主要区别就是：双极型管是电流控制器件（通过基极较小的电流控制较大的集电极电流），MOS管是电压控制器件（通过栅极电压控制源漏间导通电阻）。 MOS管(场效应管)的导通压降下，导通电阻小，栅极驱动不需要电流，损耗小，驱动电路简单，自带保护二极管，热阻特性好，适合大功率并联，缺点开关速度不高，比较昂贵。 三极管开关速度高，大型三极管的Ic可以做的很大，缺点损耗大，基极驱动电流大，驱动复杂。 一般来说低成本场合，普通应用的先考虑用三极管，不行的话考虑MOS管。 实际上说电流控制慢，电压控制快这种理解是不对的。要真正理解得了解双极晶体管和mos晶体管的工作方式才能明白。三极管是靠载流子的运动来工作的，以npn管射极跟随器为例，当基极加不加电压时，基区和发射区组成的pn结为阻止多子（基区为空穴，发射区为电子）的扩散运动，在此pn结处会感应出由发射区指向基区的静电场（即内建电场），当基极外加正电压的指向为基区指向发射区，当基极外加电压产生的电场大于内建电场时，基区的载流子（电子）才有可能从基区流向发射区，此电压的最小值即pn结的正向导通电压（工程上一般认为0.7v）。但此时每个pn结的两侧都会有电荷存在，此时如果集电极-发射极加正电压，在电场作用下，发射区的电子往基区运动（实际上都是电子的反方向运动），由于基区宽度很小，电子很容易越过基区到达集电区，并与此处的PN的空穴复合（靠近集电极），为维持平衡，在正电场的作用下集电区的电子加速外集电极运动，而空穴则为pn结处运动，此过程类似一个雪崩过程。集电极的电子通过电源回到发射极，这就是晶体管的工作原理。三极管工作时，两个pn结都会感应出电荷，当做开关管处于导通状态时，三极管处于饱和状态，如果这时三极管截至，pn结感应的电荷要恢复到平衡状态，这个过程需要时间。而mos三极管工作方式不同，没有这个恢复时间，因此可以用作高速开关管。 （1）场效应管是电压控制元件，而晶体管是电流控制元件。在只允许从信号源取较少电流的情况下，应选用场效应管；而在信号电压较低，又允许从信号源取较多电流的条件下，应选用晶体管。 （2）场效应管是利用多数载流子导电，所以称之为单极型器件，而晶体管是即有多数载流子，也利用少数载流子导电。被称之为双极型器件。 （3）有些场效应管的源极和漏极可以互换使用，栅压也可正可负，灵活性比晶体管好。 （4）场效应管能在很小电流和很低电压的条件下工作，而且它的制造工艺可以很方便地把很多场效应管集成在一块硅片上，因此场效应管在大规模集成电路中得到了广泛的应用。 （5）场效应晶体管具有较高输入阻抗和低噪声等优点，因而也被广泛应用于各种电子设备中。尤其用场效管做整个电子设备的输入级，可以获得一般晶体管很难达到的性能。 （6）场效应管分成结型和绝缘栅型两大类，其控制原理都是一样的。 其他比较： 1、三极管是双极型管子，即管子工作时内部由空穴和自由电子两种载流子参与。 场效应管是单极型管子，即管子工作时要么只有空穴，要么只有自由电子参与导电，只有一种载流子 2、三极管属于电流控制器件，有输入电流才会有输出电流。 场效应管属于电压控制器件，没有输入电流也会有输出电流。 3、三极管输入阻抗小，场效应管输入阻抗大。 4、有些场效应管源极和漏极可以互换，三极管集电极和发射极不可以互换。 5、场效应管的频率特性不如三极管。 6、场效应管的噪声系数小，适用于低噪声放大器的前置级。 7、如果希望信号源电流小应该选用场效应管，反之则选用三极管更为合适。

请问Q1这个三极管有什么用？[attach]1526638[/attach]

OD是一个芯片的输出，OC是用三极管搭建的，需要把这2个地方并联来实现“与”逻辑。 是否可行？

[attach]1520436[/attach] [attach]1520438[/attach] [color=#333333][font=Arial]图1是我改前的[/font][/color][color=#4183c4][font=Arial]电路[/font][/color][color=#333333][font=Arial]，作用是用5V[/font][/color][color=#4183c4][font=Arial]电源[/font][/color][color=#333333][font=Arial]给板上一个法拉电容充电，VCLK是给[/font][/color][color=#4183c4][font=Arial]时钟[/font][/color][color=#4183c4][font=Arial]芯片[/font][/color][color=#333333][font=Arial]的供电，当板断电时，此法拉电容将会维持对VCLK的供电，实际使用中发现，断电后两个PNP[/font][/color][color=#4183c4][font=Arial]三极管[/font][/color][color=#333333][font=Arial]的漏电流都很大，我将法拉电容充电至4.7V后，断电去掉时钟芯片后[/font][/color][color=#4183c4][font=Arial]测量[/font][/color][color=#333333][font=Arial]R6与R7的压降，R6有150mV，R7有20mV左右，即这两个管子都有150uA左右的漏电流，但规格书上Icbo都只有100nA明显不符。[/font][/color] [color=#333333][font=Arial]我按图2的电路更改，其他部分都没动，将R5由射极移到集电极，结果就没有漏电流了，上电的时候也能正常工作，请问各位大神这是什么原理？为什么移动下R5的位置就没有漏电流了？另外我发现漏电流大小与法拉电容电压成正比，请问这又是什么原因？[/font][/color] [color=#333333][font=Arial]替一位同行代问[/font][/color]

[img]https://img.alicdn.com/imgextra/i1/2143152573/O1CN01Z02iR31UsTgslZfNU_!!2143152573.png[/img] 我在淘宝上买了4个低电平触发继电器模块，连接在74hc595模块上。通电后，继电器一顿闭合动作，3秒后74hc595冒烟烧坏，这种继电器模块不都是集成了三极管了？为什么还会烧毁74hc595呢？