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关于STM8单片机驱动MOS管被烧坏的问题?

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lyjian| | 2015-7-24 12:41 | 只看该作者
1、12V倒灌到IO了
2、R6太小了,冲击电流太大

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ayb_ice| | 2015-7-24 13:36 | 只看该作者
图2
等于STM8 GPIO接12V上拉了,有几个MA的电流流过GPIO

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liozhenbin92|  楼主 | 2015-7-24 13:37 | 只看该作者
lyjian 发表于 2015-7-24 12:41
1、12V倒灌到IO了
2、R6太小了,冲击电流太大

12V过了4K7电流不是会很小,只有几毫安的大小,STM8不能吸收吗?

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5
lyjian| | 2015-7-24 13:42 | 只看该作者
liozhenbin92 发表于 2015-7-24 13:37
12V过了4K7电流不是会很小,只有几毫安的大小,STM8不能吸收吗?

能不能吸收看规格书说明。

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liozhenbin92|  楼主 | 2015-7-24 13:52 | 只看该作者
lyjian 发表于 2015-7-24 13:42
能不能吸收看规格书说明。

手册上说任意引脚可吸收或输出4mA电流。

QQ图片20150724134845.png (19.57 KB )

QQ图片20150724134845.png

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liozhenbin92|  楼主 | 2015-7-24 13:54 | 只看该作者
ayb_ice 发表于 2015-7-24 13:36
图2
等于STM8 GPIO接12V上拉了,有几个MA的电流流过GPIO

是高电压造成的吗?单片机引脚可以吸收4毫安的电流,如果按12V输入过4K7电阻,电流应该只有2.4mA。

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lfc315| | 2015-7-24 14:12 | 只看该作者
liozhenbin92 发表于 2015-7-24 13:54
是高电压造成的吗?单片机引脚可以吸收4毫安的电流,如果按12V输入过4K7电阻,电流应该只有2.4mA。 ...

这个电流不是吸收,是倒灌

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9
liozhenbin92|  楼主 | 2015-7-24 14:55 | 只看该作者
lfc315 发表于 2015-7-24 14:12
这个电流不是吸收,是倒灌

多谢。学习了

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创隆电子| | 2015-7-24 20:52 | 只看该作者
单子真的恒大

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创隆电子| | 2015-7-24 20:52 | 只看该作者
胆子真的很大,我连想都不敢想

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autolog| | 2015-7-24 22:56 | 只看该作者
有前途啊

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松哥无敌| | 2015-7-25 09:01 | 只看该作者
lfc315 发表于 2015-7-24 14:12
这个电流不是吸收,是倒灌

啥意思?倒灌?能详细解释一下吗,老大

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mmuuss586| | 2015-7-25 09:09 | 只看该作者
图2,C3两端接个稳压二极管吧;

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大秦正声| | 2015-7-25 10:13 | 只看该作者
关注

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gx_huang| | 2015-7-25 10:20 | 只看该作者
本帖最后由 gx_huang 于 2015-7-25 10:22 编辑

这是模拟电路的基础呀。
MCU的GPIO可以吸收多少电流,和你这个12V上拉灌入电流无关呀。
当PWM输出0时,可以拉低。
当PWM输出高时,就要看VCC的耗电和钳位能力了,如果VCC被拉高了,谁来吸收你这个电流?另外,51欧姆电阻对电容反复充放电,PWM的电流有多大?你算过吗?瞬间电流也很大的。

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17
lcdi| | 2015-7-25 11:41 | 只看该作者
那个电流是电压正常情况下MCU可以承受的电流,你给IO口的电压太高,可能直接击穿内部了(这时不需大电流的),跟那个电流指标无关。

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zxcscm| | 2015-7-25 12:35 | 只看该作者
不是电流,是电压击穿

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dog_xin 2015-7-27 08:02 回复TA
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liozhenbin92|  楼主 | 2015-7-27 08:48 | 只看该作者
gx_huang 发表于 2015-7-25 10:20
这是模拟电路的基础呀。
MCU的GPIO可以吸收多少电流,和你这个12V上拉灌入电流无关呀。
当PWM输出0时,可以 ...

基础不牢。。。现在知道了灌电流和吸收电流的区别了,不过VCC被拉高怎么理解?是单片机的供电VCC吗?
拉高VCC后单片机应该就烧了吧?还要多向你们学习。

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liozhenbin92|  楼主 | 2015-7-27 08:50 | 只看该作者
创隆电子 发表于 2015-7-24 20:52
胆子真的很大,我连想都不敢想

:lol,不要怂,实践才知道做错了后果多严重。

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