SDRAM：SDRAM，即Synchronous DRAM（同步动态随机存储器），曾经是PC电脑上最为广泛应用的一种内存类型，即便在今天SDRAM仍旧还在市场占有一席之地。既然是“同步动态随机存储器”，那就代表着它的工作速度是与系统总线速度同步的。SDRAM内存又分为PC66、PC100、PC133等不同规格，而规格后面的数字就代表着该内存最大所能正常工作系统总线速度，比如PC100，那就说明此内存可以在系统总线为100MHz的电脑中同步工作。
与系统总线速度同步，也就是与系统时钟同步，这样就避免了不必要的等待周期，减少数据存储时间。同步还使存储控制器知道在哪一个时钟脉冲期由数据请求使用，因此数据可在脉冲上升期便开始传输。SDRAM采用3.3伏工作电压，168Pin的DIMM接口，带宽为64位。SDRAM不仅应用在内存上，在显存上也较为常见。
DDR SDRAM：严格的说DDR应该叫DDR SDRAM，人们习惯称为DDR，部分初学者也常看到DDR SDRAM，就认为是SDRAM。DDR SDRAM是Double Data Rate SDRAM的缩写，是双倍速率同步动态随机存储器的意思。DDR内存是在SDRAM内存基础上发展而来的，仍然沿用SDRAM生产体系，因此对于内存厂商而言，只需对制造普通SDRAM的设备稍加改进，即可实现DDR内存的生产，可有效的降低成本。
SDRAM在一个时钟周期内只传输一次数据，它是在时钟的上升期进行数据传输；而DDR内存则是一个时钟周期内传输两次次数据，它能够在时钟的上升期和下降期各传输一次数据，因此称为双倍速率同步动态随机存储器。DDR内存可以在与SDRAM相同的总线频率下达到更高的数据传输率。
与SDRAM相比：DDR运用了更先进的同步电路，使指定地址、数据的输送和输出主要步骤既独立执行，又保持与CPU完全同步；DDR使用了DLL(Delay Locked Loop，延时锁定回路提供一个数据滤波信号)技术，当数据有效时，存储控制器可使用这个数据滤波信号来精确定位数据，每16次输出一次，并重新同步来自不同存储器模块的数据。DDL本质上不需要提高时钟频率就能加倍提高SDRAM的速度，它允许在时钟脉冲的上升沿和下降沿读出数据，因而其速度是标准SDRA的两倍。
目前电脑系统性能的瓶颈主要是在数据的读取和传输上，要提高系统性能主要是提高内存的速度。
一、SDRAM与DDR SDRAM
SDRAM（Synchronous Dynamic RAM，同步动态随机存储器）内存自从Pentium时代以来，就开始了其不可动摇的霸主地位，这种主体结构一直延续至今，它可以使所有的输入输出信号保持与系统时钟同步，内存就是工作在系统的外部频率下。它使用168线的管脚接口，具有64bit的带宽，工作电压为3.3伏，目前最快的内存模块为5.5纳秒。由于其最初的标准是采用将内存与CPU进行同步频率刷新的工作方式，因此，基本上消除了等待时间，提高了系统整体性能。SDRAM内存有66MHz（PC66）、100MHz（PC100）和133MHz（PC133）三种标准规格，某些内存厂商为了满足一些超频爱好者的需求还推出了PC150和PC166内存，SDRAM在DDR和Rambus内存的强势冲击下，可以说露出了已经走到尽头的无奈。
二、DDR SDRAM
DDR SDRAM 由VIA、IBM、AMD等在1998年12月确定的完全开放式新一代内存规范，1999年的5月，第一批184pin DDR SDRAM DIMM模组正式获得了认可。DDR SDRAM（Double Date Rate，上下行双数据率SDRAM）在同步动态读写存储器SDRAM的基础上，使用了更多、更先进的同步电路，采用DLL（Delay－Locked Loop，延时锁定环）技术提供数据选通信号对数据进行精确定位，在时钟脉冲的上升沿和下降沿都可传输数据，在相同的总线频率下DDR内存具有更高的数据带宽，即使在133MHz的总线频率下的带宽也能达到2.1GB/S，是PC133标准的两倍。至于地址与控制信号则与传统SDRAM相同，仍在时钟上升沿进行传输。DDR内存采用2.5V电压，SDRAM使用的3.3V电压，DDR SDRAM可以沿用现有SDRAM的生产体系，制造成本比SDRAM略高一些，制造普通SDRAM的设备只需稍作改进就能进行DDR内存的生产。DDR可以在不提高时钟频率的情况下，使数据传输率提高一倍，采用64位的并行数据总线，DDR分为4种主要型号，DDR-200、DDR-266、DDR-333和DDR-433。DDR SDRAM外形上DDR与SDRAM相比差别不大，DDR内存具有184只管脚和一个小缺口，DDR内存管脚数比SDRAM多出16只管脚。
DDR SDRAM有着先天性的优势，取代SDRAM只是时间上的问题，DDR内存的速度也越来越快，DDR内存的封装。采用不同封装技术的内存条，在性能上也会存在较大差距，而要获得更好的性能，封装技术也相应需要革新。自DDR333开始采用CSP封装，CSP封装内存不但体积小，同时也更薄，其工艺大大提高了内存芯片在长时间运行后的可靠性。
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