光耦的连接问题

登录 · 发表于 2015-7-27 10:49

单独如图的电路，输入端接单片机，输出端输出一切正常。可是接上下一级电路的时候输出电压波形是有，但是低电平不为0，大概有3V左右。后级电路具体是什么，不是很清楚。可能也是一个光耦。请帮忙看一下应该怎么弄才能把光耦输出端的低电平弄成0.谢谢在线等。

发表于 2015-7-27 11:00

有人帮忙吗

登录 · 发表于 2015-7-27 11:17

光耦的内部图

发表于 2015-7-27 11:58

本帖最后由 oldzhang 于 2015-7-27 12:04 编辑

输出低电平时负载电流太大，光耦输出无法提供那么大的电流，加一个PNP三极管射随电路，放大输出电流

发表于 2015-7-27 15:00

oldzhang 发表于 2015-7-27 11:58
输出低电平时负载电流太大，光耦输出无法提供那么大的电流，加一个PNP三极管射随电路，放大输出电流 ...

谢谢您的回答！这个开关频率是20khz，加个PNP三极管射随电路会不会频率跟不上？:)

发表于 2015-7-27 20:32

加PNP会影响速度，你割根线试试，要不然那你就加大输入发光二极管的电流，还有就是在输出加驱动。

发表于 2015-7-27 21:23

oldzhang 发表于 2015-7-27 20:32
加PNP会影响速度，你割根线试试，要不然那你就加大输入发光二极管的电流，还有就是在输出加驱动。 ...

我刚做完实验，加入了射随电路之后，发现光耦输出端接入射随电路时，输入信号的低电平是有下来一点，不过仍为1.5v左右。

发表于 2015-7-27 21:40

oldzhang 发表于 2015-7-27 20:32
加PNP会影响速度，你割根线试试，要不然那你就加大输入发光二极管的电流，还有就是在输出加驱动。 ...

然后我按照您说的方法，增大光耦输入电流，即调小R4的值。发现接入射随电路的输入信号低电平可以达到0V左右。但是射随电路的输出端接上负载时，低电平为1v。

发表于 2015-7-27 22:02

张少煌发表于 2015-7-27 21:40
然后我按照您说的方法，增大光耦输入电流，即调小R4的值。发现接入射随电路的输入信号低电平可以达到0V左 ...

测了一下跟后面的带载没有关系，是射随电路的输出的低电平本来就为1.0V左右。

发表于 2015-7-27 22:13

如果加大光电流可以就行，射随器可以加大输出电流，但是增加了个PN结，低电平到不了0v

发表于 2015-7-27 22:20

oldzhang 发表于 2015-7-27 22:13
如果加大光电流可以就行，射随器可以加大输出电流，但是增加了个PN结，低电平到不了0v ...

加大光电流，不加射随器的话，光耦的输出电流远远不够。就算把R4降低到10欧姆也不行的。加了射随器的有个PN结，要有1V左右的压差吗？感觉1V有点大

发表于 2015-7-27 22:23

看来负载电流较大，可以考虑加驱动，是数字应用吧

发表于 2015-7-27 22:24

oldzhang 发表于 2015-7-27 22:13
如果加大光电流可以就行，射随器可以加大输出电流，但是增加了个PN结，低电平到不了0v ...

谢谢老张你的帮忙哈。明天我搭一npn的射随器，再看看效果怎么样。或者用mos管做一个开关不知道可不可行？

发表于 2015-7-27 22:27

本帖最后由 oldzhang 于 2015-7-28 08:26 编辑

MOS开关肯定可以，我刚用过IRLML6402，是PMOSFET，很小的贴片，很好用。你原来的光耦是OC输出，你可以用NMOSfet做OD输出，下拉的能力很强的。不过一级NMOSFET相位反了，你可以从输入控制反相.加NPN的集电极输出，电路是复合管，应该可以。

发表于 2015-7-28 08:30

oldzhang 发表于 2015-7-27 22:27
MOS开关肯定可以，我刚用过IRLML6402，是PMOSFET，很小的贴片，很好用。你原来的光耦是OC输出，你可以用NMO ...

不能单纯用MOS管搭的，还是需要用光耦实现隔离效果的。我想在光耦输出端再接一个MOS管，直接控制开关的开断由vcc直接连接下一级输出，这样驱动电流会大一点。:)

发表于 2015-7-28 08:50

本帖最后由 oldzhang 于 2015-7-28 16:09 编辑

光耦控制MOSFET，要考虑速度，你的光耦速度高，MOSfet输入为容性，会降低速度，选输入电容小的光耦。

发表于 2015-7-28 11:17

oldzhang 发表于 2015-7-28 08:50
光耦控制MOSFET，要考虑速度，你的光耦速度高，MOSfet输入为容性，会降低速度，选输入电容小的光耦。 ...

谢谢您的帮忙。用mos管的办法是已经解决了（比起原来的三极管，成本多了几毛钱。）。因为20Khz对于mos管来说还不算太快。光耦的输入电容是60pf，输入-输出电容是5pf。应该影响不是很大吧？驱动能力上去了。就看具体波形会不会失真哈。因为信号不稳定。下午做个恒定占空比的方波测试看看会不会失真。

发表于 2015-7-28 11:19

是输出电流不够
受教了

发表于 2015-7-28 16:09

对不起是我敲错了，应该是输入电容小的MOSFET。

发表于 2015-7-29 15:39

哈哈，我看了一下因为光耦的原因，发现整个开关量从0上升到高电平的时间要3us。不知道这个时间算长还是短？

光耦的连接问题

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