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关于光耦驱动MOSFET经常烧坏的问题

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沙发
xueweibo0830|  楼主 | 2015-7-29 15:26 | 只看该作者
控制光耦FOD3182驱动输出,FOD3182就会烧坏

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板凳
xueweibo0830|  楼主 | 2015-7-29 15:34 | 只看该作者
电路设计是不是存在什么问题?经验不足

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地板
oldzhang| | 2015-7-29 16:13 | 只看该作者
本帖最后由 oldzhang 于 2015-7-29 16:23 编辑

要驱动端的上升下降时间短,你用示波器看看,驱动电流要够一般15mA,输入电流小了,内部2个MOSFET不能完全导通和完全截止就会烧。输入电流上升沿,下降沿要陡。


fod3182.jpg (32.33 KB )

fod3182.jpg

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oldzhang| | 2015-7-29 16:27 | 只看该作者
本帖最后由 oldzhang 于 2015-7-29 16:53 编辑

中间两个MOSFET好像是多余的,FOD3182的输出能力很强啊,3A难道还不够吗?

fod3182a.jpg (37.51 KB )

fod3182a.jpg

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xueweibo0830|  楼主 | 2015-7-29 16:43 | 只看该作者
中间两个管子是反向器,控制PMOS,默认让它为关断状态,

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xueweibo0830|  楼主 | 2015-7-29 16:52 | 只看该作者
Ra9是200欧的,计算输入电流11mA左右,控制信号为方波,不存在同时导通的可能。

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oldzhang| | 2015-7-29 17:04 | 只看该作者
加一级双mosfet非门,原来是为了反相
你的11mA是怎么计算出来的,我算才3.5mA
很简单,你测量一下200欧姆上的电压,就可以知道电流多大了
你把电阻改到51欧姆试试,最大电流可以25mA的

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xueweibo0830|  楼主 | 2015-7-29 17:10 | 只看该作者
和输入端关系应该不大,输入端电流大小只能决定导通或者是关断,不能导致输出级导通损坏
之前是1K电阻,完全导通不了
我调整到200欧,可以正常开通关断
发光二极管导通压降一般1.2V左右,计算的输入电流

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oldzhang| | 2015-7-29 17:23 | 只看该作者
本帖最后由 oldzhang 于 2015-7-29 17:25 编辑

发光二极管也有2.5V到2.6V的导通电压,如果光电流不足10mA,会使得里面的两个mosfet处于放大状态,就会电流很大,会烧坏的,最好测量一下限流电阻上的电压,根据电压看看驱动电流够不够。

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xueweibo0830|  楼主 | 2015-7-29 17:32 | 只看该作者
我用的对称电路,下路驱动NMOS的还有一路,中间没有反向器,工作正常。
所以分析不应该是输入电流问题。

IMG_20150729_172955.jpg (261.7 KB )

IMG_20150729_172955.jpg

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12
oldzhang| | 2015-7-29 17:44 | 只看该作者
那就怪了,
不过200欧姆限流电阻确实有些大,换100欧姆完全可以

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xueweibo0830|  楼主 | 2015-7-29 17:59 | 只看该作者
本帖最后由 xueweibo0830 于 2015-7-30 10:05 编辑

哦!谢谢你,我测量电阻两端电压1.9V,200欧,9.5mA,有点偏低。
但光耦损坏不是这个原因

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teddeng| | 2015-7-30 14:52 | 只看该作者
pin5,和pin8之间的104电容很重要,确保最短路径连接了?否则内部放大器容易震荡,忘了在哪家的DATASHEET看到的了。

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15
xueweibo0830|  楼主 | 2015-7-30 15:47 | 只看该作者
现在是光耦损坏,不是 场管损坏,即使同时导通也不应该损坏光耦啊!

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mmuuss586| | 2015-7-30 20:01 | 只看该作者
你用的这个型号感觉是,光MOS继电器吧?
如果是的话,一般是输出过流损坏;

我们以前用台湾的类似器件,也存在损坏情况;
后面使用的时候,设计上会留很大余量;

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xueweibo0830|  楼主 | 2015-7-31 13:55 | 只看该作者
不是光MOS继电器,是个快速光耦!
原因可能是电路高频开关,引起电路震荡导致20V不稳造成的光耦损坏.

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oldzhang| | 2015-8-1 11:57 | 只看该作者
虽然手册要求10mA,但是9.5mA应该能导通了,做好退偶,光耦输出的100欧姆一定要串,光耦的20v电源最近的地方在加退偶电容,22uF并104

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TT1000| | 2021-5-4 23:50 | 只看该作者
学习了

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