片外flash仿真问题

只看该作者 · 2007-1-11 15:44

想让程序运行的快一些，我在startup.s中BCFG0 改为0x10000410，在片外ram仿真运行没有问题，且烧写片外flash也成功但按复位键后不能正常运行，通过不断修改BCFG0发现，BCFG0的SWT1字段不能写为0，必须为非零时，烧写后程序方能正常启动。并且发现，进入中断的延时加长！！
原来在ram仿真过程中BCFG0参数定为0x10000410，现在为了能够在flash中启动把其改写为0x10000420，这样不仅进入中断的时间加长了，而且原来的许多延时参数都得重新修改，不知道各位是如何处理这种情况的，还请不吝赐教。
学生愚钝，还有些不明白，不知烧写完flash后，复位启动，程序是在片外flash中运行的吗？那ram干吗呢？试验中发现程序在ram和flash中运行的速度没有明显的差距。