片外flash仿真问题

发表于 2007-1-11 15:44

想让程序运行的快一些，我在startup.s中BCFG0 改为0x10000410，在片外ram仿真运行没有问题，且烧写片外flash也成功但按复位键后不能正常运行，通过不断修改BCFG0发现，BCFG0的SWT1字段不能写为0，必须为非零时，烧写后程序方能正常启动。并且发现，进入中断的延时加长！！   原来在ram仿真过程中BCFG0参数定为0x10000410，现在为了能够在flash中启动把其改写为0x10000420，这样不仅进入中断的时间加长了，而且原来的许多延时参数都得重新修改，不知道各位是如何处理这种情况的，还请不吝赐教。   学生愚钝，还有些不明白，不知烧写完flash后，复位启动，程序是在片外flash中运行的吗？那ram干吗呢？试验中发现程序在ram和flash中运行的速度没有明显的差距。

发表于 2007-1-12 22:15

周公，人呢？？ 是不是问题太白痴，怎么没人帮助一下？

发表于 2007-1-13 08:38

片外Flash比RAM要慢.在使用中请不要随便改工程模板的配置数据,

发表于 2007-1-13 15:52

如何在22**中实现片内ram仿真？？ 2200模版没有相关选项！！！

发表于 2007-1-15 18:17

这方面的中文详细介绍可看&lt&lt深入浅出ARM7-LPC213x/LPX214x(上册)&gt&gt，里 面有对分散加载机制及文件语句含义的详细解释．

[ZLG-ARM] 片外flash仿真问题

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这可以通过修改分散加载文件来实现．

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