反激开关电源发射电压的一个疑问

只看该作者 · 2015-8-5 10:55

本帖最后由 BBSTOM 于 2015-8-5 15:25 编辑

基本上反激开关电源发射电压的就算是(NP:NS )*(VO+Vf)

其实就是变压器原理。无论什么的220V变 12v。次级的反射电压传递到初级220端，都是220v！
这个如同开关电源的变压器一样，

那么这样问题就来了，一般反激的初级MOSFET的电压应力，都是310v*2+漏感电压在650v 左右。

而恰恰的好多反激开关电源的MOSFET的耐压就是650v。如FAIRCHILD的SMPS模块
虽然用了RCD吸收电路或TVS管。确实这样的产品设计没有问题。

这样我的问题就来了，
因为上面已经说了，一般情况，发射电压就是输入电压。而MOSFET电压应力就是2*输入电压++。
现在设计的反激电源，正常绕发，输出无论是多少伏特，使用公式(NP:NS)*VO就是等于VIN(310V)
很担心 MOSFET被发射电压击穿。

只看该作者 · 2015-8-5 17:20

MOS尖峰是由反射电压加输入电压加漏感组成的，它们是串联关系，反射电压等于输出电压乘以匝比，假如输出电压12V，匝比是8，那么反射电压就是96V，假如输入整流后电压300V，那就是300+96+漏感，就形成了MOS尖峰电压，MOS耐压选取高一点就可以了，怎么会担心击穿呢？

只看该作者 · 2015-8-5 18:27

原因我的匝比赛3，输出 100v , 因为设计的时候是认为 310V 比100v =3

如你所说，100v*匝比就是 3*100=300v了。  MOSFET的耐压是650v。已经选用上了，
这样就担心被击穿啊。

至于是不是可以把匝比设为1，  NP:NS=1, 这个问题是如何理解的呢，可以这样设计吗？
如果这样设计会不会一上电就被击穿的潜在危险？  匝比太小，输出电压有这么高。