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反激开关电源 发射电压的 一个疑问

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BBSTOM|  楼主 | 2015-8-5 10:55 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
本帖最后由 BBSTOM 于 2015-8-5 15:25 编辑

基本上 反激开关电源 发射电压的就算 是(NP:NS )*(VO+Vf)

其实就是变压器原理。 无论什么的220V变 12v。 次级的反射电压 传递到初级220端, 都是220v!
这个如同 开关电源的变压器一样,

那么这样问题就来了, 一般反激的初级MOSFET的电压应力,都是310v*2+漏感电压在650v 左右。

而恰恰的好多反激开关电源的MOSFET的耐压就是650v。 如FAIRCHILD的SMPS模块
虽然用了RCD吸收电路或TVS管。 确实这样的产品设计没有问题。

这样我的问题就来了,
因为上面已经说了,一般情况,发射电压就是输入电压。而MOSFET电压应力就是2*输入电压++。
现在设计的反激电源,正常绕发, 输出无论是多少伏特,使用公式(NP:NS)*VO就是等于VIN(310V)
很担心 MOSFET被发射电压击穿。

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沙发
yytda| | 2015-8-5 17:20 | 只看该作者
MOS尖峰是由反射电压加输入电压加漏感组成的,它们是串联关系,反射电压等于输出电压乘以匝比,假如输出电压12V,匝比是8,那么反射电压就是96V,假如输入整流后电压300V,那就是300+96+漏感,就形成了MOS尖峰电压,MOS耐压选取高一点就可以了,怎么会担心击穿呢?

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板凳
BBSTOM|  楼主 | 2015-8-5 18:27 | 只看该作者
原因我的匝比赛3, 输出 100v ,   因为设计的时候是认为 310V 比100v =3

如你所说,100v*匝比就是 3*100=300v了。  MOSFET的耐压是650v。已经选用上了,
这样 就担心被击穿啊。

至于是不是可以把匝比 设为1,  NP:NS=1, 这个问题是如何理解的呢,可以这样设计吗?
如果这样设计会不会一上电就被击穿的潜在危险?  匝比太小,输出电压有这么高。

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地板
yytda| | 2015-8-5 19:02 | 只看该作者
要根据MOS和输出二极管的耐压,选择合适的匝比,只要余量足够,观察一下开机尖峰,就不用担心被击穿

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BBSTOM|  楼主 | 2015-8-5 19:29 | 只看该作者
本帖最后由 BBSTOM 于 2015-8-5 19:49 编辑

是的。根据器件的耐压设计匝比。


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