第一次发贴，上一个没发好！
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mosfet管的参数主要有:最大的漏源电压V(BR)DSS = 500V, 栅源电压VGS = ±30V , 最大漏电流ID = 20A等等
我的电路是用四个mosfet管搭建的桥式驱动电路
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控制信号为周期50us的方波，我现在想发挥管子的最大作用，那么我的Vgs因该怎么取啊？
《电子技术基础》 模拟部分（第四版） 康华光 中写到四个区：
1.可变电阻区 2.恒流区/饱和区/线性放大区（叫法不同而已） 3.击穿区 4.截止区
我的电路应该工作在第2个区的，因为我的 开启电压（Vgs(th)）<栅源电压<最大栅源电压（±30V）
而且书上还有写到（P171）：
"在恒流区内，N沟道增强型MOSFET的Id可近似地表示为 Id = Id0*(Vgs/Vt - 1)*(Vgs/Vt - 1) 注：（Vgs > Vt）Vt是开启电压
式中Id0是Vgs = 2*Vt时的id值"
我就是因为看到这个公式我才郁闷的。
首先说这个开启电压Vt，我觉得在Vds不同的时候Vt肯定也是不同的所以怎么确定它的值呢？
在图2的第四栏有个开启电压：VGS(th)=2.0～4.0V（条件是：VDS = VGS,ID = 250μA）我是不是能暂取Vt=3v呢？
其次是这个Id0，当取Vt=3v时（式中Id0是Vgs = 2*Vt时的id值）Id0是Vgs =2*Vt=6v 时的id值，这个时候我的id值怎么取呢？可以到图4上找吗？我看还是暂且在图4上找，id0=3A
最后我的电路的Vgs取的是15v
带入式子 算出Id=3*(15/3 - 1)*(15/3 - 1)=48A,而管子最大Id=20A，所以这么算下来我的管子早就因该爆了！这与事实不符（我的管子没有烧）
所以我才有困扰啊，我这种电路的Vgs到底因该怎么取？我还想把Vgs取高点行吗？  |
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