请教几个LM芯片的问题,盼答!

发表于 2007-12-25 01:50

1.WAKE(唤醒)是低电平作用还是下降沿作用 2.Flash写入其间可否"Sleep" 3.手册说进入休眠要把对芯片的驱动信号变为0或使外部也掉电,是为了省电还是防止芯片破坏,因为我有可能还是加了所有的电的(3.3Vdd和外部供电的2.5Vdd) 4.HIB(休眠指示)的驱动能力 5.不会进入休眠也一定要休眠模块的时钟? 6.未查到 VDDA 电流消耗数据,它同时也是参考电压吧 7.外部复位(RST脚)影响 SRAM 么

发表于 2007-12-25 09:07

答： 　　1. WAKE是低电平有效。 　　2. Flash写入时不可睡眠。因为睡眠后，内核及存储器是没有时钟供给的。在Flash写入完成后，方可睡眠。 　　3. 手册称芯片进入休眠后HIB脚会输出一个低电平，您可以用这个低电平来处理一些事情，例如：控制外部电源的使能脚，使供电中止。您也可以利用这个低电平来做别的。 　　4. HIB的驱动能力是8mA 　　5. 如果不进入休眠，则可以不用休眠模块的时钟。如果要进入休眠，则应当使用时钟。 　　6. VDDA的电流消耗通常是3mA，也是参考电压。 　　7. 外部复位会使整个芯片复位，但是SRAM内容保持不变（被进入main函数前的代码影响到的SRAM除外）。

发表于 2007-12-25 18:01

发表于 2007-12-25 20:18

有什么问题欢迎提出。

发表于 2007-12-30 01:08

1k电阻就掉到1V了哦~~~~~~~ 还好买了8962板子,要不..........LM的数据手册也太不全了

[ZLG-MCU] 请教几个LM芯片的问题,盼答!

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HIB哪里有8mA哦

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