本帖最后由 香水城 于 2017-8-17 14:04 编辑
上电缓慢导致复位不良
问题：
该问题由某客户提出，发生在 STM32F103VBT6 器件上。据其工程师讲述：其产品在老化测试中出现个 别样机通电后不工作的现象。对该样机重新通电，可以恢复正常。但在后续的测试中还会偶尔重现不 工作的现象，呈现很强的随机性。
调研：
检查其硬件设计，未发现其它异常，只有 VDD 和地之间的滤波电容为 470uF，略显偏大。 将该电容替换成 220uF 后，重新测试，未见前述现象重现。
结论：
过大的滤波电容导致上电缓慢，从而引发复位不良。
处理：
重新选取该元件的参数，以满足上电复位的要求。
建议：
为了进一步阐明该问题形成的原因，以下对上电过程做一个简单的分析。在通常的应用中，STM32 的 电源是由线性调压路提供的，一般的形式如图（一）所示：
在上电的瞬间，LDO 中的调整管由于高度的导通而工作在线性电阻区，于是该电路可以等效于图（二）所示电路：
同负载 RL相比，LDO 的导通电阻 R 很小，所以可以乎略负载的影响。于是 VDD 的上电曲线为
如图（三）所示：
该曲线的上升速率由时间常数τ=RC 决定。而一般情况下，对 STM32 的复位引脚 NRST 的处理如图（四）所示：
上电时，电源VDD通过Rnrst和STM32内部的Rpu向电容Cnrst充电，其充电曲线为
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