一个可以用的直流电机驱动电路，多谢awey以及yewuyi

只看该作者 · 2008-10-1 20:30

这是最后的图，注意换向的时候得先关Q1，换向，再开Q1，中间需要一定延迟

只看该作者 · 2008-10-1 20:33

只看该作者 · 2008-10-1 20:35

4万 · 2008-10-1 20:39

只看该作者 · 2008-10-1 20:46

FireFox不支持传图片，只能用IE6了

只看该作者 · 2008-10-1 20:48

4万 · 2008-10-1 20:55

要加尖峰吸收电路
如果要PWM调速，Q1的要加专门的驱动电路。

只看该作者 · 2008-10-1 21:14

就是加个电容就行了吧，Q1的驱动电路是怎么个情况啊，谢谢了

4万 · 2008-10-1 21:31

加电容会造成MOS导通瞬间的大电流冲击，最简单的是对电源加个续流二极管。

MOS的GS端电容比较大，驱动就是加一个能提供大电流的低阻抗输出电路，可以用PNP和NPN三极管组成一个互补的射随器来驱动。

只看该作者 · 2008-10-1 21:39

4万 · 2008-10-1 21:41

只看该作者 · 2008-10-1 21:50

2万 · 2008-10-1 22:11

如果电流<1.5A，推荐LZ看看TA8050P这个驱动芯片，东芝的，罗姆也有很多这种驱动芯片，其它厂家也有类似芯片，用起来还是很爽的。。。

TA8050P：H桥驱动，驱动部分可直接接受TTL电平，驱动电流<1.5A，带过热、过流、过压保护，PSIP-7封装，你那MOS管和继电器都可省了。。。

只看该作者 · 2008-10-1 22:39

再请awey版主和yewuyi看一下这样行了吗？

4万 · 2008-10-1 22:57

R5会增加导通时的阻抗，最好不要，R1也可以不用。

MOS管的开启电压Vth要注意一下，不要选太低的，在Q4导通时，Q4的发射极电压为0.7V＋PD6的低电平电压，要保证在此电压值时，MOS管可靠关断。

同时，在Q3导通时，Q3发射极电压为 PD6－0.7V 时，MOS管可靠导通。

只看该作者 · 2008-10-1 23:17

那三极管最大电流100MA没事吧

2万 · 2008-10-2 09:26

呵呵，对于MOSFET足够了，那又不是功率驱动，不需要那么大电流

只看该作者 · 2008-10-2 15:40

只看该作者 · 2008-10-2 17:06

这是最后的图，注意换向的时候得先关Q1，换向，再开Q1，中间需要一定延迟

2万 · 2008-10-2 17:14

其中PD6是开关（可有PWM），PA5控制方向