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【外置mos管的】充电IC还有充电电流限制的吗?

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YEO|  楼主 | 2015-8-12 22:21 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
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YEO|  楼主 | 2015-8-12 22:29 | 只看该作者

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hwx-555| | 2015-8-13 08:13 | 只看该作者
有问题吗?
按IC外围,从正电到电池间接有Rsns检测电阻,此电阻用于电流检测反馈至VBAT。IC数据表给出的是VBAT检测值和对应输出电流值。

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地板
YEO|  楼主 | 2015-8-13 09:48 | 只看该作者
hwx-555 发表于 2015-8-13 08:13
有问题吗?
按IC外围,从正电到电池间接有Rsns检测电阻,此电阻用于电流检测反馈至VBAT。IC数据表给出的是V ...

我意思是如果要加大充电电流到 3A 或更高,只需修改IC外围,充电电流加大与IC无关的吧?

@hwx-555

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david0715| | 2015-8-13 11:11 | 只看该作者
电池是否充爆,是产品设计工程师考虑的因素.
充电电流设定范围限制可能同该芯片内部检测精度,回路稳定性有关

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david0715| | 2015-8-13 11:13 | 只看该作者
试试如韵电子的CN3762, 附技术规格书.

DSC-CN3762.pdf

308.91 KB

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hwx-555| | 2015-8-14 08:10 | 只看该作者
YEO 发表于 2015-8-13 09:48
我意思是如果要加大充电电流到 3A 或更高,只需修改IC外围,充电电流加大与IC无关的吧?

@hwx-555  ...

估计是芯片检测的最优值,超过可能稳定性有影响

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YEO|  楼主 | 2015-8-14 11:43 | 只看该作者

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yanwen217| | 2015-8-14 13:47 | 只看该作者

应该是芯片内部检测放大器的输入范围的限制,超过了就导致放大器输出饱和了

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