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[电机及执行机构驱动]

IR功率驱动芯片自居电容两端电压Vbs持续增高问题

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本帖最后由 麟凤龟龙 于 2016-10-6 20:47 编辑

在CSI电路拓扑中,使用IR2213功率驱动芯片驱动三相电流源型逆变器,驱动芯片自举电容两端电压Vbs持续增高,最终导致驱动芯片烧坏。

QQ截图20150819095412.png (43.55 KB )

QQ截图20150819095412.png

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沙发
qinshihao| | 2015-8-14 11:15 | 只看该作者
上图啊,兄弟

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板凳
麟凤龟龙|  楼主 | 2015-8-19 09:56 | 只看该作者

电路图以上,请帮忙分析一下吧,谢谢

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地板
qinshihao| | 2015-9-1 09:46 | 只看该作者
同相上下桥臂导通,不会烧么?这时候的负载已经不是电机,而是管子

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chen2009qian| | 2015-10-5 21:51 | 只看该作者
你好楼主这应该是IR2113吧!

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麟凤龟龙|  楼主 | 2016-10-6 20:48 | 只看该作者
经过查阅资料和实验验证,IR功率驱动芯片不能用于驱动电流源行变流器,可以采用隔离电源+驱动光耦方案来代替。

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