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可控硅驱动。为什么烧ULN2003?求大神解答

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楼主
小可可儿|  楼主 | 2015-8-14 09:20 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

我想做个可控硅驱动,电路如下,板子焊好,单片机先输出脉冲测试硬件回路,可是这个驱动回路一上电,ULN2003准烧,我看别人的产品上是用ULN2003,为什么我设计的不行呢,难道在软件上要做处理?还是电路有问题,求做过可控硅触发的朋友给点意见,谢谢

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沙发
cjseng| | 2015-8-14 10:04 | 只看该作者
本帖最后由 cjseng 于 2015-8-14 10:06 编辑

单片机上电期间是没有脉冲输出的。
可以考虑单片机先上电,然后接通24V电源。

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板凳
gx_huang| | 2015-8-14 12:17 | 只看该作者
得测量一下输出瞬间电流多少。8路输出总电流多少。
估计你的脉冲太宽,高频变压器初级阻抗太小。

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地板
lfc315| | 2015-8-14 13:49 | 只看该作者
是上电一瞬间就烧了,还是开始操作可控硅才烧?
单独只调试1路,其它路先断开,看看什么情况;
地板楼说的也有可能。

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5
lfc315| | 2015-8-14 13:55 | 只看该作者
哎,楼主你没注意,2003是TTL电平输入的么,你接到24V上去了?

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6
lfc315| | 2015-8-14 14:04 | 只看该作者
是不是该把限流电阻改大点,本身2003增益就很大,输入有1mA的驱动电流应该就足够了。

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7
受不了了| | 2015-8-14 14:21 | 只看该作者
2003的输入已经有限流电阻了,估计还是输出电流过大,总的电流好像是不能超过500毫安

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8
1189594| | 2015-8-14 15:29 | 只看该作者
个人感觉光耦没有必要加, ULN2003输入直接用IO口加个限流电阻接进去,ULN2003输出最好加个小电阻限流,初级的1N4007也没必要加,可以去掉

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9
shalixi| | 2015-8-14 15:57 | 只看该作者
限流电阻位置不对。

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10
明天旅行| | 2015-8-14 16:40 | 只看该作者
谁能帮我讲解下这个电路的工作原理吗?

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小可可儿|  楼主 | 2015-8-14 21:22 | 只看该作者
上电时脉冲是关的,上电时不会烧,只要开了脉冲,2003就烧了,我量了脉冲变压器的原边电阻,只有7-8欧,计算了一下,电流肯定超过了2003的500mA,我把脉冲变窄,还是烧,我看别人的装置里用的三极管C1008,也可以,,不知道怎么处理的?是不是要在变压器,原边串个限流电阻,串多大的电阻呢,会不会影响它的驱动能力。

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12
lfc315| | 2015-8-14 22:53 | 只看该作者
小可可儿 发表于 2015-8-14 21:22
上电时脉冲是关的,上电时不会烧,只要开了脉冲,2003就烧了,我量了脉冲变压器的原边电阻,只有7-8欧,计 ...

那说明脉冲还是太宽了

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13
chunyang| | 2015-8-15 10:23 | 只看该作者
负载过重了,串电阻限流。如果变压器本身的额定工作电压就是24V,那么应采用分立的功率晶体管驱动。

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小可可儿|  楼主 | 2015-8-15 14:59 | 只看该作者
chunyang 发表于 2015-8-15 10:23
负载过重了,串电阻限流。如果变压器本身的额定工作电压就是24V,那么应采用分立的功率晶体管驱动。 ...

变压器的额定工作电压就是24V,串电阻限流后,脉冲没那有输入那么宽了,看样子还是只能采用分立的功率晶体管驱动

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15
李富贵| | 2015-8-15 16:12 | 只看该作者
哈哈哈,好熟悉的电路,十多年前搞过,驱动500~1000A 1kV 单向可控硅。
24V供电,2003的负载是3:1的触发变压器,因为可控硅触发电压是7V。

这个电路的关键之处是2003输出低电平时间是几十微秒(具体数值参看可控硅触发变压器说明书)这个量级的,如果到了微秒一级,触发变压器饱和电流快速增大,2003烧毁是必须的,不存在幸存的任何可能。

我当年做这个电路的时候,加了一万倍小心,还是在仿真器进入断点的时候眼睁睁看着2003冒烟挂掉。不过还好只烧了这一次,几千套运行了十多年到现在没有出过问题。

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chunyang 2015-8-15 23:34 回复TA
此经验价值万金! 
16
cjseng| | 2015-8-15 18:30 | 只看该作者
1.晶振未起振期间,单片机IO的状态是什么?
2.复位期间,单片机IO的状态是什么?
3.断电瞬间,电压从高到低跌落期间,单片机IO的状态是什么?
4.程序跑飞,单片机IO的状态是什么?

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17
小可可儿|  楼主 | 2015-8-16 21:51 | 只看该作者
李富贵 发表于 2015-8-15 16:12
哈哈哈,好熟悉的电路,十多年前搞过,驱动500~1000A 1kV 单向可控硅。
24V供电,2003的负载是3:1的触发变 ...

与你说的一样,驱动500~1000A 1kV 单向可控硅。
24V供电,2003的负载是3:1的触发变压器,因为可控硅触发电压是7V

我眼睁睁看着两片2003冒烟挂掉了,不敢再弄了

感谢大神解答,明天我试验下,希望不要再烧了。

到时把好消息告诉大家

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18
小可可儿|  楼主 | 2015-8-16 22:03 | 只看该作者
cjseng 发表于 2015-8-15 18:30
1.晶振未起振期间,单片机IO的状态是什么?
2.复位期间,单片机IO的状态是什么?
3.断电瞬间,电压从高到低 ...

谢谢,不过我已经试验,与起振,复位,断电没有关系。

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19
cjseng| | 2015-8-17 00:01 | 只看该作者
本帖最后由 cjseng 于 2015-8-17 00:07 编辑
小可可儿 发表于 2015-8-16 22:03
谢谢,不过我已经试验,与起振,复位,断电没有关系。


你把24V电压调低,比如7-8V再试,就可以了,最好串个电流表在电源回路里看看电流大小的变化。
另外,你的脉冲不会是50或者100hz吧?

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20
李富贵| | 2015-8-17 20:54 | 只看该作者
小可可儿 发表于 2015-8-16 21:51
与你说的一样,驱动500~1000A 1kV 单向可控硅。
24V供电,2003的负载是3:1的触发变压器,因为可控硅触发 ...

你先查下变压器的∫udt这个参数。

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