继续,上三回说到:
通过Firmware Lib在EK_STM32F上的学习体会
更新:Firmware Lib在EK_STM32F上的学习体会(CAN/Cortex/Debug)
更新II:Firmware Lib在EK_STM32F上的学习体会(DMA/EXTI)
-----------------------FLASH分隔线-----------------------------------
Exemple 1
本例展示了如何对STM32的FLASH写入数据。
在RESET以后,FLASH存储器的写/擦控制器(Flash memory Program/Erase Controller)是被锁住的,为了能够写入数据,首先要求对控制器解锁(FLASH_Unlock())。
在写入数据前,程序首先擦除所有要编辑的页面。擦除程序首先计算需要的页面数目,然后通过不断调用FLASH_ErasePage函数进行逐页擦除。之后,程序不断调用FLASH_ProgramWord函数对FLASH写入数据。待整个过程完成以后,检查FLASH中的数据是否已被正确写入,检查结果放在变量MemoryProgramStatus中。
Exemple 1
本例展示了如何开启/关闭STM32 FLASH存储器的写保护功能。
打开写保护功能: 在程序中,取消“#define WriteProtection_Enable”前的注释符号,即可打开写保护功能。想要对一系列页面进行写保护的话,用户可以调用FLASH_EnableWriteProtection函数,通过设置该函数的参数,我们可以对任意页面进行写保护。在本例中,我们想要对24 — 31这八个页面进行保护,因此,参数为"FLASH_WRProt_Pages24to27 | FLASH_WRProt_Pages28to31"。
为了对载入新的option byte 值,需要对系统进行复位,因此,我们调用函数 NVIC_GenerateSystemReset()。
关闭写保护功能: 在程序中,取消“##define WriteProtection_Disable”前的注释符号,即可关闭写保护功能。为了关闭写保护,用户必须擦除小信息模块(small information block)。此操作可以通过调用函数FLASH_EraseOptionBytes来实现。
同样的,为了对载入新的option byte 值,需要对系统进行复位,因此,我们调用函数 NVIC_GenerateSystemReset()。
在本例中,程序将对被保护页面进行一次擦-写的操作,并在最后检查操作的完成情况,并把检查结果放在变量MemoryProgramStatus中。显然,如果打开了写保护功能,那么结果将是FAILED,如果没有,结果将是PASSED。
-----------------------GPIO分隔线-----------------------------------
Exemple 1
本例展示了如何通过设置GPIO BSRR寄存器(Port bit set/reset registe)和GPIO BRR寄存器 (Port bit reset register)来翻转IO的状态。
通过设置这两个寄存器,我们可以利用单比特操作(single atomic write access)来改变一个或者几个IO端口的状态。
这个例子原本应用于STM32评估板(STM3210B-EVAL),为了使本例能在EKSTM32F上运行,我们应当把使用端口PC.06 – PC.09改为使用PC.04 – PC.07。
Exemple 2
本例展示了如何把JTAG专用管脚设置为标准的GPIO。
首先,关闭SWJ-DP,把SWJ-DP管脚设置为标准的push-pull输出。然后,循环地改变PA.13(JTMS/SWDAT), PA.14(JTCK/SWCLK), PA.15(JTDI), PB.03(JTDO) 和PB.04(JTRST)这五个管脚的状态。使与之相连的LED闪耀。在EKSTM32F板上,不存在这样的五个LED,要观察效果的话,需要自己连上去。
注意,一旦JTAG管脚被用作它用,将无法再使用debug工具。为了避免这个问题,程序将检查PB.09上的数据,它与一个按钮相连,当输入为低电平时,JTAG专用管脚被设为标准的IO。当输入为高电平时,这些管脚仍然用作JTAG。
在EKSTM32F板上,改检测PB.09为PD.04。 注意,运行本例程必须慎重,可以参考下面这个贴子:
对于生手来说,ST提供的GPIO这个sample够害人的
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