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那位高手能告诉:电压调节器从低功耗唤醒的时间。

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楼主
60岁老头|  楼主 | 2008-3-6 16:59 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
  STANDBY的唤醒延时应 = 电压调节器从低功耗唤醒的时间 + HSI RC唤醒时间。
  后者HSI振荡器启动时间tsu = 1-2μs。
  前者最大到底要多少时间?STM32F103_6_8_B.PDF中没有找到。
沙发
香水城| | 2008-3-6 17:53 | 只看该作者

STM32从低功耗唤醒的时间,包括电压调节器的唤醒时间

STM32F103xx数据手册(2007年11月第四版)的第48页有下面的部分,这应该是你要的数据。

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板凳
60岁老头|  楼主 | 2008-3-7 08:30 | 只看该作者

感谢快速反应和敬业精神。

    我看到的老的资料见图。当初看到时就伤心:可调内核LDO的唤醒居然要38µs,不太相信。不过这个参数是夹在别的参数中的。不是一个独立的参数,怀疑是否有误,于是发贴求教。
    现在看来只能认了。 但更伤心:比原来的更大了。看来,ST也是在边实验,边更改资料。但此参数是个TYP,不是MAX,不能作为设计的依据,只是参考。那么IC的用户该怎么办?实验 + 留余量。
    唉!做好低功耗,太难了。苦!
    顺便指出:老版中TYP栏中的值都等于左边栏中的和,现在不是。看来,必须搞清 “唤醒”的整个物理过程。
    另外再请教香主:TDB的含义和去掉这些TDB的时间。

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地板
香水城| | 2008-3-7 08:49 | 只看该作者

谢谢楼上的老者,TBD = To Be Determined

关于去掉这些TDB的时间,我去问一下,过一段再回答你。

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5
60岁老头|  楼主 | 2008-3-7 12:51 | 只看该作者

再打扰一下

新版的数据手册中,没有了HSI RUN IN RAM的参数了,不知老版中的还管用吗?

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6
香水城| | 2008-3-7 13:41 | 只看该作者

不好意思,请说详细点:哪个版本,第几页?哪个参数?

查了一下估计你说的是电流消耗,如果是这样的话,我只能说老版中的数据可以作为参考但不能作为依据;如果这个参数对你很重要,请直接联系ST的代理商通过正式渠道申请。

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7
60岁老头|  楼主 | 2008-3-7 13:51 | 只看该作者

这个

请看

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8
60岁老头|  楼主 | 2008-3-7 13:59 | 只看该作者

ram run 比 flash run电流小得多,有油水。

    ram run 比 flash run电流小得多,有油水。
    在代码小,运行时间较长的情况下,极有价值。

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9
香水城| | 2008-3-7 14:24 | 只看该作者

这么说我在6楼猜得是对的

新版数据手册中分别有使用外部时钟在Flash和RAM中运行的电流消耗数据,但没有使用HSI的数据。正如我在6楼说的:“老版中的数据可以作为参考但不能作为依据;如果这个参数对你很重要,请直接联系ST的代理商通过正式渠道申请。”

另外程序在RAM中运行会比在Flash中运行慢,请看分析:STM32的程序跑在ram里快?还是跑在flash里快?

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10
60岁老头|  楼主 | 2008-3-7 15:02 | 只看该作者

谢谢

    “新版数据手册中分别有使用外部时钟在Flash和RAM中运行的电流消耗数据”是否指表11和表12? 此2表 和PLL有染,我关心无PLL的参数。

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11
60岁老头|  楼主 | 2008-3-7 15:05 | 只看该作者

频率越低,油水越大。

    而且,频率越低,油水越大。

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12
60岁老头|  楼主 | 2008-3-7 15:13 | 只看该作者

估计是由于取指部分的机制和电路的不同之故。

    从7楼的图中的参数,横轴为频率,化作曲线,便可可看出端倪。
估计是由于取指部分的机制和电路的不同之故。

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13
香水城| | 2008-3-7 16:08 | 只看该作者

新版手册中表11和表12中8MHz的数据为PLL关闭的数据

请看表11的注(2)和表12的注(1):External clock is 8 MHz and PLL is on when fHCLK > 8 MHz


图12和图13的曲线直观地给出了电流消耗与时钟频率和温度的关系。

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14
60岁老头|  楼主 | 2008-3-7 18:00 | 只看该作者

希望看到从7楼的图中表示的2.3ma左右的值。

    看到7楼图中表示的2.3ma左右的值,才会高兴。也就是“ram run 比 flash run电流小得多”,才有继续挖潜的意义。
    但新老版的差异,总是令人遗憾。
    再次对香主的照应,表示感谢!

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