关于Flash的问题，请教高人！

只看该作者 · 2007-8-13 10:14

我用的是str710f的单片机，FLASH用的是SST39VF6401，现在遇到一个奇怪的问题，就是我
向第8扇区写数据时第1640扇区也有同样的数据，
向第9扇区写数据时第1641扇区也有同样的数据，
向第10扇区写数据时第1642扇区也有同样的数据
如此类推，在扇区号前加N或减N都有一样，N为整数。
为什么同样的数据一次能写两份呢？检查程序没问题，地址线也不存在问题，但就是不知道原因所在。

只看该作者 · 2007-8-13 10:25

另外，请介绍一下这个SST39VF6401，它是一个什么样的Flash？串行的还是并行的？容量多大？

只看该作者 · 2007-8-13 13:30

该Flash是4M*16位并行的，共2048个扇区，每个扇区为2048word,
1word=16bit

只看该作者 · 2007-8-13 13:50

尤其是片选线。

STR710用的是什么扩展模式？

只看该作者 · 2007-8-13 15:19

或者只需用语言描述一下地址数据线是如何连接的，尤其是片选线，STR710用的是什么扩展模式？

只看该作者 · 2007-8-13 15:23

建议你：
1.把硬件的数据口扭过来，用H-JTAG来写，
2.调整一下频率和等待时间来写

只看该作者 · 2007-8-13 15:27

只看该作者 · 2007-8-13 15:49

如果是数据线问题那应该写的数据不正确才对，也不会存在写到两个不同的扇区啊，而且每一扇区数据都是正确的，就是写了两份。Flash的A0-A21地址线对应str710f的A.1-A.22,数据线D15-D0对应str710的D.0-D.15,是反着的，没办法电路图不是我设计的，我只写软件。CE#对应/CS0片选，读信号OE#对应/RD,ARM的/WE.0,/WE.1通过一个与门后连到flash的WE#

只看该作者 · 2007-8-13 16:00

我的MCLK=RCLK=FCLK=48MHZ,PCLK=6MHZ,没有设置等待时间！不知道有没问题？数据口如果改过来要重新做一次样板，现在没时间了。

只看该作者 · 2007-8-13 16:09

请问当电路连接都正确的情况下，在编写Flash程序应该注意什么？（STR710F单片机）

只看该作者 · 2007-8-14 09:52

只看该作者 · 2007-8-14 09:58

1. 硬件连接：
   Flash的A0-A21地址线应该对应str710f的A.1-A.22,其它的连接不变（事实上
   U21没必要使用，只需STR710的/WE.0与flash的WE#连接就可以了，因为该
   flash是16bit的）。这样，FLASH－U20的地址映象为：0x60000000～
   0x607FFFFF;FLASH－U22的地址映象为：0x62000000～0x627FFFFF;
2. 编写Flash程序的注意事项:
（1）你存在FLASH中的数据的地址必须在上述范围内；
（2）选择合适的“Cycle Length”(寄存器EMI_BCON0/EMI_BCON1中的位域),详
     细参考STR710的datasheet和FLASH的参数；
(3) B_SIZE[1:0](寄存器EMI_BCON0/EMI_BCON1中的位域)应为0x01b,因为FLASH
     的总线是16 bit的。

只看该作者 · 2007-8-14 11:28

我的程序代码是放在STR710F内部Flash中的，外部Flash（SST）只存放数据，我是通过程序写外部Flash的，不用其它式具写的。

只看该作者 · 2007-8-14 12:13

根据你的描述，怀疑你的软件有问题：

向第8扇区写数据时第1640扇区也有同样的数据，
向第9扇区写数据时第1641扇区也有同样的数据，
向第10扇区写数据时第1642扇区也有同样的数据

分析一下：
如果使用CS0，那么第8扇区的地址是0x60004000~0x600047FF；而第1640扇区的地址是0x60334000~0x603347FF。可以看到地址线的低16位相同，误操作区域的地址线的A16~A19共四条地址线为高，是不是你的软件中输出了这样的地址？否则就是你的硬件上有干扰！

你最好用仪器看一下这几条地址线的情况，判断是软件的错误还是硬件错误。

只看该作者 · 2007-8-14 13:56

只看该作者 · 2007-8-14 14:11

   EMI_INIT
        LDR     r0, =GPIO2_Base_addr
        LDR     r2, [r0, #PC0_off_addr]
        ORR     r2, r2,#0x000000FF
        STR     r2, [r0, #PC0_off_addr]
        LDR     r2, [r0, #PC1_off_addr]
        ORR     r2, r2,#0x000000FF
        STR     r2, [r0, #PC1_off_addr]
        LDR     r2, [r0, #PC2_off_addr]
        ORR     r2, r2,#0x000000FF
        STR     r2, [r0, #PC2_off_addr]
        LDR     r0, =EMI_Base_addr
        LDR     r1, =0x3C:OR:EMI_ENABLE:OR:EMI_SIZE_16  ///0x3C 0x38 0x34 ...(-4)... 0x04
        STR     r1, [r0, #BCON0_off_addr] ;
        LDR     r1, =0x3C:OR:EMI_ENABLE:OR:EMI_SIZE_16  ///0x3C 0x38 0x34 ...(-4)... 0x04
        STR     r1, [r0, #BCON1_off_addr]
        LDR     r1, =0x3C:OR:EMI_ENABLE:OR:EMI_SIZE_16  ///0x3C 0x38 0x34 ...(-4)... 0x04
        STR     r1, [r0, #BCON2_off_addr] ;
        LDR     r1, =0x3C:OR:EMI_ENABLE:OR:EMI_SIZE_16  ///0x3C 0x38 0x34 ...(-4)... 0x04
        STR     r1, [r0, #BCON3_off_addr]

关于Flash的问题，请教高人！

有电路图吗？是不是你的电路有问题？

电路图传上来看不清楚啊

没有电路图，也应该说说地址数据线是如何连接的

对不起，你能放一个PDF或图形文件吗？我没有PCB软件

怎么还学人家把数据线扭成那样，累死你哦

你这问题不是数据线的问题就是写的时间过快

数据线问题？

写外部flash的频率多少合适？

在写Flash时应该注意什么？

你用什么工具写FLASH哦？

Re:

程序代码是放在STR710F内部FLASH中的

你最好用仪器看一下

BCON调大点试一下，可能是这问题

在 EMI_INIT 里加上最那几条，从0x3C开始测试