当今的计算机、PAD、手机、通信系统设备等电子产品,处理速度越来越快,运算能力越来越强,其电源的设计也越来越复杂。进入21世纪后,芯片的制作工艺由0.18um逐步升级到了95nm、65nm、45nm,晶体管的集成度更高、主频更高、供电电压更低,这给产品的电路设计与调试带来了更大的挑战。在90年代,芯片的供电通常是5V和3.3V,使用CMOS或TTL电平,而现在,很多数字电路芯片的核心电压以及IO电平都小于3.3V,以最常用的内存芯片为例,最古老的SDR SDRAM供电电压为3.3V,DDR SDRAM为2.5V,DDR2为1.8V,DDR3为1.5V,而最新的DDR4的供电电压为1.2V,其VREF只有0.6V。这些电路的供电电压越来越小,对电源噪声的要求也更加严格,如何设计低噪声的电源、并且准确测量其电源噪声非常关键,本文将从电源完整性(Power Integrity,简称PI)的角度,简要分析电源噪声测试中可能遇到的问题和相应的解决方法。
|