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[开关电源]

基于PI的角度分析电源噪声测试中可能遇到的问题和相应的...

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jenny520|  楼主 | 2015-8-25 14:24 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
当今的计算机、PAD、手机、通信系统设备等电子产品,处理速度越来越快,运算能力越来越强,其电源的设计也越来越复杂。进入21世纪后,芯片的制作工艺由0.18um逐步升级到了95nm65nm45nm,晶体管的集成度更高、主频更高、供电电压更低,这给产品的电路设计与调试带来了更大的挑战。在90年代,芯片的供电通常是5V3.3V,使用CMOSTTL电平,而现在,很多数字电路芯片的核心电压以及IO电平都小于3.3V,以最常用的内存芯片为例,最古老的SDR SDRAM供电电压为3.3VDDR SDRAM2.5VDDR21.8VDDR31.5V,而最新的DDR4的供电电压为1.2V,其VREF只有0.6V。这些电路的供电电压越来越小,对电源噪声的要求也更加严格,如何设计低噪声的电源、并且准确测量其电源噪声非常关键,本文将从电源完整性(Power Integrity,简称PI)的角度,简要分析电源噪声测试中可能遇到的问题和相应的解决方法。

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