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问一个上下Mos管的GS导通脉冲

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古道122|  楼主 | 2008-10-27 12:16 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
如图所示,在半桥型的开关中,上管导通的时候,下管gs会出现一个较小的脉冲,这个脉冲如果到比较大的时候,就会导致上下管直通,现在在Mos的gs端增加了一个电容和电阻,有一定效果,但是开关的速度就下降了很多,而且电流增加(现在最大到15A左右,希望使用最大200A左右)的时候还是会出问题。如果再继续增加电容的话,可能可以使用的电流会再大一点,但是不知道何时到头,而且开关速度如果太慢的话,就比较难受了。
上来透透气,也问问大家有没有遇到过类似的问题,希望指教一下
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mqxue123 2020-2-1 19:03 回复TA
半桥驱动的一个经典问题 

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沙发
awey| | 2008-10-27 15:02 | 只看该作者

低阻抗驱动,加死区

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古道122|  楼主 | 2008-10-27 15:43 | 只看该作者

awey

1。我的驱动芯片的最大输出电流是1.5A的,现在驱动的gate电阻是8欧的,电压是15V的,如果去掉电阻的话,有没有可能会使驱动芯片发热严重?
2。这个脉冲是由于上面一个管子开通的时候产生的,就算加了死区,那也是加在没有作用的一段区域吧?一旦上管要导通的时候,那么下管还是会感应出这一个电压的吧。而且上管导通的速度越快,这个电压的幅值也会越大吧。你所谓的加死区的方法具体是有什么作用吗?

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bald| | 2008-10-27 17:07 | 只看该作者

驱动用推挽输出

栅漏之间的结电容是这个脉冲的主要原因
这个现象不止下管有,上管也会有
解决问题的方法只有降低栅源间的输入阻抗。
-接电容是其中之一不过需要查一下管子的参数以确定容量的大小。
-如果驱动用推挽输出,8欧电阻应该足够小了。
-还可以加一个低阻抗泻放回路---见图(参数自己配一下,三极管集电极的电阻也可以不要)
另外8欧姆的限流电阻似乎过于小了些,因为dv/dt过高对另外一只管子的冲击也过于大了一些,且会造成一些EMC问题。



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古道122|  楼主 | 2008-10-27 18:14 | 只看该作者

谢谢bald

先补充一下,因为是4个Mos管并联,所以驱动的负载是8欧,其实电阻是33欧的。
另外,你这个电路我之前也尝试过,但是效果基本上体现不出来,可能我当时用的bjt的速度不够。呵呵,希望换个bjt能够有一定的效果吧。

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古道122|  楼主 | 2008-10-28 09:00 | 只看该作者

就bald的图讨论一下

想讨论一下bald的方法和在G极电阻上直接反并联一个二极管有差别吗?
既然是推挽驱动,当关断的时候G极电阻的另一端是接地的,而上面电路的用意也是在关断的时候使脉冲直接接地去。那么这两种方法有什么差别吗?

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7
bald| | 2008-10-28 10:14 | 只看该作者

低阻泄放回路的作用

在高速应用场合,推挽输出当然是最好的选择。多数时候要求拉电流能力甚至比灌电流能力要强。
至于那个泻放电路,是在没有低阻回路场合下的选择。与直接并一个二极管大不一样。当驱动信号断开时,从场效应管G级看其输入电阻为基极电阻除以三极管的β值。而对驱动信号的损失则相当小。

对于那个脉冲,另有一个简单的办法也许有效,试试在上管的GS两端并一个较大的电阻(1MΩ也许可以?)-----仅一个思路,是否有别的负面效应不能确定。

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8
古道122|  楼主 | 2008-10-29 14:12 | 只看该作者

上来汇报一下

尝试了一下bald的那个低阻泻放回路,三极管实用8550,基极电阻20k,二极管使用SB2100,驱动的波形发生了变化,关断时间变得极短。而且问题仍然存在的,电流大到20A左右的时候,还是会发生问题。
想问一下,如果采用负压驱动的话,我在驱动端加了一个电容,但是由于驱动的duty存在变化,从0到1要变化,这样的话,使用一个电容的方法就不能实现了。不知道其它还有什么好的方法吗?

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bald| | 2008-10-31 09:57 | 只看该作者

20K电阻偏大

就算100倍的β值,折换成栅源电阻还有200Ω。换成5.1K或更小一些试试。
此外,有了这个泻放电路,就有本钱增将栅极电容增加一些了。不过这个电容的容量要严格限制。

还有就是在前面提到的,在上管的漏源之间并一个较大的电阻应该是一个不错的选择。

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古道122|  楼主 | 2008-10-31 17:33 | 只看该作者

ds?gs?

使用三极管的话,由于开关的下降沿的速度改变了,所以目前还没有采用。
刚才试了下使用负压驱动的方法,已经可以到60A了,估计电流再大也没多大问题。
虽然gs端波形还是有很大的振荡的脉冲,但是并不影响。
但是之前使用另一种Mos的使用,老是在这个大的脉冲上出问题。个人分析是因为不同的Mos的ton的时间不一样吧,所以虽然存在很大的振荡脉冲,但是ton大的Mos管就不会导通吧?
补充一下,图中是1V/div,由于图片太大,就把示波器的右边去掉了
发个振荡的波形上来,哈哈,都到了5,6V了,就是不导通。

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11
ppppppu| | 2008-11-3 22:32 | 只看该作者

负压驱动

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12
ppppppu| | 2008-11-3 22:44 | 只看该作者

负压驱动问题

楼主,能否把你的负压驱动电路传上来学习学习。
本人正准备做一个方波功放电路。输入为两路相位相反的方波,供电电压为+12V和+85V,输出为两路相位相反的、峰峰值为150V、电流为15A的方波。由于未做过此类功放,现正在学习,不知楼主用没用过IR2110芯片,该电路采用合适吗?
谢谢!
若可以的话,把你的负压驱动电路发到我的邮箱里。zhaowater@126.com

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GavinZ| | 2020-2-6 16:51 | 只看该作者
跟死区没关系。下管关断后发生的,使用低阻驱动就行了。你又不设计驱动,只是选择合格的驱动,你遇到了这个问题,说明你选的驱动不合格。

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steelen| | 2020-2-11 11:33 | 只看该作者
主要是D G间的电容问题,降低GS间的电阻值

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kzzzzzzzzzz| | 2020-2-12 11:00 | 只看该作者
这个问题和PCB布线也有关系

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