STR710与NAND512W3A的接口时序问题

只看该作者 · 2008-8-29 14:22

工程师：
        我在项目中遇到一个问题，设计中参考ST公司的资料AN2287采用一片STR710F和一片NAND FLASH（NAND512W3A）连接，他们之间的接口如下图。这里我将FLASH的ALE、CLE、WP、R/B 全部连接到STR710的地址线上，同时在程序中将这些地址线做初始化时按照复用功能（也就是做地址线）定义：
EMI_Config(3,EMI_ENABLE | EMI_WAITSTATE(3) | EMI_SIZE_8);
GPIO_Config(GPIO2,0x0008,GPIO_AF_PP);         //config P2.3 as NANF_/CS
GPIO_Config(GPIO2,0x0010,GPIO_AF_PP);        //config P2.4 as NANF_/WP
GPIO_Config(GPIO2,0x0020,GPIO_AF_PP);        //config P2.5 as NANF_CLE
GPIO_Config(GPIO2,0x0040,GPIO_AF_PP);        //config P2.6 as NANF_ALE
GPIO_Config(GPIO2,0x0080,GPIO_IN_TRI_CMOS);         //config P2.7 as NANF_R/B
        这样对NAND FLASH的操作就完全是对相应地址的读写操作了。但这里发现一个问题，就是在FLASH的芯片资料中说明，当写入命令或地址时，CLE和ALE（对应MCU的地址线）在写信号WE的上升沿锁存时保持时间至少应达到10ns，而MCU的芯片说明中写信号WE发出之后，地址线在WE的上升沿后的保持时间只有3ns，这样一来他们之间的时序就不匹配了。用示波器测试结果也是3ns。这是不是说他们之间接口时一定要把这几条线要按照I/O口的方式使用，而不能完全作为地址线操作？另外我参考的ST资料AN2287就是讲这两者之间如何接口的，给出的代码我看了，发现初始化时有的也是按照I/O口的方式，而有的是按照地址线初始化。完全按I/O口线控制是没问题的，但速度慢，我现在就想改成地址总线映射控制的方式来提高速度，同时不必再加其他的胶合逻辑电路。请教各位看能否可行。谢谢！