按照stm32F10x flash编程手册的标准擦除方法进行擦除，在对flash->CR寄存器STRT位置1后，查询flash->SR的BSY位，等待其被清0.
我碰到的问题是：
CR寄存器STRT位置1操作持续6ms，6ms后擦除操作完成，再查询flash->SR的BSY位已没有意义。在CR寄存器STRT位置1操作的6ms中，定时中断无法进入，整个系统似乎被CR寄存器STRT位置1操作完全占用，连中断请求都被屏蔽。
我进行的flash操作完全按照手册规定进行，包括lock, unlock等。所有flash的擦除和编程操作结果都正确，只是擦除和编程操作中定时中断无法进入，进而跟踪分析发现：flash->CR寄存器STRT位置1操作占用6ms，并屏蔽中断。
请问各位大虾，如何能够让我在flash擦除编程中可以进入定时中断？？ |
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