**作JTAG命令来进行flash的编程，发现当我的启动在SRAM启动时，FLASH能正常的擦除和编程。但当我的启动模式换成内部闪存启动（即flash启动）时，STM32的flash中的页0不能被正常的擦除及编程，其它页均可以。
我查过保护位，读写保护位均未打开，请问大家这是怎么一回事？
我曾今认为是是因为向量偏移表放在page0的缘故，后来我通过M3的内部寄存器将向量表的位置指向SRAM后，同样不行。
而且也不是因为PC指针在page0的缘故，因为擦除和编程的代表我是放于sram中，所以擦page的时候PC应该是指向SRAM的
实在是想不明白到底是为什么会出现这种情况，然道是因为STM32F103的FLASH页0特殊性？
但同样的烧写驱动在MDK下就能正常实现，想不明白？
求助。。。 |
楼主
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