DDR SDRAM 问题

发表于 2015-9-22 15:11

各位大侠，最近初学DDR SDRAM。有颇多疑问想请教各位
1、对ddr进行写操作，是否每次都是需要对bank、row、col地址更新，是否意味着，我需要3个边沿，1.5个clk才能完成一个数据的写入？
2、自动刷新问题，如果正在burst写入很长的数据，是否这期间就无法刷新？我在三星的K4H561638N手册中发现Burst length (2, 4, 8)，是否至多只能写8个长度的nbit数据？
3、所有的cmd指令是否是在边沿来的时候才更新为有效？

发表于 2015-9-22 19:43

别沉~

发表于 2015-9-22 21:12

urst length为1时效率很低的，Burst length长的时候就基本一个时钟2个数据了
刷新要在数据空闲期进行，保证多长时间内对整片刷一遍就成。
sdram Burst length有整片的，ddr好像没有，但是只要是同一个bank可以连续发读命令，不用重复打开选中什么的，中间没有浪费的clk，所以和整片突发效果一样
所有的cmd指令好像是单沿的吧。

发表于 2015-9-23 14:10

帮你顶顶吧

发表于 2015-9-23 16:29

DDR驱动还要自己写?:funk:

DDR SDRAM 问题

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