STM32的备份电源问题

只看该作者 · 2009-4-15 18:57

下面我附了张图...（所用芯片为STM32F103ZET6）
资料上说若无外部Vbat要接VDD，那么我打算按图中的接法用超级电容供电，在上电的时候假设电容里没电，那么自然就会慢慢充电了，带来的问题是开始无异于接地，然后才慢慢升到算作“有电”的门限值，最后到3.3V减去二极管压降为止，那么带来如下一些问题：
1，如此接法RTC能否正常工作（即主电源掉电时时钟也能走）？
2，RTC用的晶振如果采用6pF负载电容的型号（资料中提到的要求），外部接的2只小电容是否必须为6pF？
3，在备份电源为3.3V，主电源为3.5V的时候，会不会发生主电源从芯片内部给备份电源充电的情况？
4，在备份电源为3.3V，主电源掉电的时候，备份电源的电能会不会向主电源处漏（哪怕1μA也算..）？

只看该作者 · 2009-4-17 14:49

首先，3.3是什么？主电源？
1，如此接法RTC能否正常工作（即主电源掉电时时钟也能走）？
答：如果3.3是主电源，RTC能正常运行；当主电源掉电后，时钟能够运行一段时间，这要看电容内储存了多少电量。

2，RTC用的晶振如果采用6pF负载电容的型号（资料中提到的要求），外部接的2只小电容是否必须为6pF？
答：6pF是推荐值，你可以根据你实际测试的结果选用。

3，在备份电源为3.3V，主电源为3.5V的时候，会不会发生主电源从芯片内部给备份电源充电的情况？
答：基本上不会。特殊情况：
在VDD上升阶段(tRSTTEMPO)或者探测到PVD之后，VBAT和VDD之间的电源开关仍会保持连接在VBAT。在VDD上升阶段，如果VDD在小于tRSTTEMPO的时间内达到稳定状态(关于tRSTTEMPO可参考数据手册中的相关部分)，且VDD > VBAT + 0.6V时，电流可能通过VDD和VBAT之间的内部二极管注入到VBAT。
如果与VBAT连接的电源或者电池不能承受这样的注入电流，强烈建议在外部VBAT和电源之间连接一个低压降二极管。
tRSTTEMPO的值请参考数据手册。

4，在备份电源为3.3V，主电源掉电的时候，备份电源的电能会不会向主电源处漏（哪怕1μA也算..）？
答：不会！

只看该作者 · 2009-4-17 20:48

这下又能砍掉一堆东西了...外部RTC+法拉电容的方案现在看来还不如内部RTC直接法拉电容VBAT来得好..

STM32的备份电源问题

回答如下：

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