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请教Flash擦写寿命计算的问题

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楼主
stu_polly|  楼主 | 2009-7-10 09:37 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
flash, ge
flash的寿命是以擦的次数算，还是每次写入数据算作一次呢？
因为page被擦除，掉电重新上电后未被写入的空间是允许写入的

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沙发
zhuhai2004| | 2009-7-11 16:38 | 只看该作者

好像是以擦除算作一次。

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板凳
wangwenjia| | 2009-7-13 23:29 | 只看该作者

在 RAM 中调试呗

RAM 中调试 速度快，而且还不用顾虑那个什么寿命

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地板
香水城| | 2009-7-14 08:25 | 只看该作者

有些单片机确实是在RAM中运行程序较快，但STM32不是这样

STM32的Cortex-M3核心使用的是哈佛结构，根据设计程序在Flash中运行，比在RAM中运行更快。

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5楼
McuIsp| | 2009-7-14 08:39 | 只看该作者

atmel和nxp的cortex-M3有挂在取指总线的SRAM

跑SRAM可以全速。
stm32主要是因为SRAM挂在数据总线上，取指和数据竞争总线时间，造成速度比flash低，实测会低2~3倍。
stm32有2个block 64bit的取指cache,如果程序在flash里顺序执行，是可以全速的。但是一般来说，顺序执行的代码较少。个人感觉这个cache提速的效果在20%~50%。

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6楼
stu_polly|  楼主 | 2009-7-15 13:54 | 只看该作者

我是把flash用作数据存储区域

我是把flash用作数据存储区域，所以假若只以eraser算作一次的话，flash擦写的次数可以大大延长

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