请教Flash擦写寿命计算的问题

发表于 2009-7-10 09:37

flash的寿命是以擦的次数算，还是每次写入数据算作一次呢？
因为page被擦除，掉电重新上电后未被写入的空间是允许写入的

发表于 2009-7-11 16:38

发表于 2009-7-13 23:29

RAM 中调试速度快，而且还不用顾虑那个什么寿命

发表于 2009-7-14 08:25

STM32的Cortex-M3核心使用的是哈佛结构，根据设计程序在Flash中运行，比在RAM中运行更快。

发表于 2009-7-14 08:39

跑SRAM可以全速。
stm32主要是因为SRAM挂在数据总线上，取指和数据竞争总线时间，造成速度比flash低，实测会低2~3倍。
stm32有2个block 64bit的取指cache,如果程序在flash里顺序执行，是可以全速的。但是一般来说，顺序执行的代码较少。个人感觉这个cache提速的效果在20%~50%。

发表于 2009-7-15 13:54

我是把flash用作数据存储区域，所以假若只以eraser算作一次的话，flash擦写的次数可以大大延长

[应用相关] 请教Flash擦写寿命计算的问题

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好像是以擦除算作一次。

在 RAM 中调试呗

有些单片机确实是在RAM中运行程序较快，但STM32不是这样

atmel和nxp的cortex-M3有挂在取指总线的SRAM

我是把flash用作数据存储区域

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