在本文的第一部分里,详细介绍了电源完整性的基本概念,以及环路电感、L×(di/dt)和工艺对电源完整性的影响等。这里,将详细介绍电源完整性设计中的最优IR压降方法,以及片上电感对电源完整性所带来的影响。另外,还将详细介绍像45nm这类更新的工艺节点上,电源完整性经常存在的导致器件良率下降的问题,包括呈2次方或指数式增长的L×(di/dt)噪声,全面电源完整性技术和EDA工具的严重缺乏,无法清楚地理解芯片电源完整性等等。最后将讨论针对上述这些问题的可能解决方法。
更多精彩就在附件里,有兴趣的可以下载看看!
|