加重负载，低边MOS被击穿咋办？

登录 · 发表于 2015-9-27 16:47

12V,6A DC/DC，输入48V，使用LM5117，空载和轻载时输出正常，但是输出电压上始终存在开关频率的尖峰。在加重负载到2.1欧时电感啸叫，之后低边MOS的G,D，S全被击穿，高边和低边使用同一型号的MOS，CSD19533图片依次为输出电压波形、低边MOS门级波形，输出电压波形、高边MOS门极波形

登录 · 发表于 2015-9-27 16:48

实际使用的电感是22uH,10A，输出滤波电容是470uF

发表于 2015-9-27 22:41

产生CRY,电流超过电感的规格值,可能电感值选得不当,或反馈的问题,ILPK太高.查下峰值电流是多少,下边管是否过热.电感值加大点试下.

发表于 2015-9-28 09:35

是否和极点补偿有关？

发表于 2015-9-30 13:24

@zyj9490 确认是反馈环的问题，电容焊错了。但是现在底边mos的门极和输出电源上都存在衰减震荡。在门极串21欧和50欧电阻没有改善，那震荡源是哪里来的呢

登录 · 发表于 2015-9-30 13:26

门极波形，方波经若干周期后被拉尖

登录 · 发表于 2015-9-30 13:31

门极，更换高边mos为irf6645后，门极就全变尖峰了，感觉像驱动不够的样子

登录 · 发表于 2015-9-30 13:33

输出电压波形和高边门极波形，话说振的还挺好看

登录 · 发表于 2015-9-30 13:38

哥们实在是技穷了啊。@maychang 老爷子来帮忙看看吧

发表于 2015-9-30 14:01

本帖最后由 zyj9490 于 2015-9-30 14:23 编辑

wangzeyue 发表于 2015-9-30 13:24
@zyj9490 确认是反馈环的问题，电容焊错了。但是现在底边mos的门极和输出电源上都存在衰减震荡。在门极 ...

在RRAMP并一个220P的电容，还有CCOMP2加大到200PF，试下。

发表于 2015-9-30 14:27

CCOMP就不要动了，补偿环路的参数和输出电容是匹配的。我并电容试试。谢谢

发表于 2015-9-30 15:07

wangzeyue 发表于 2015-9-30 14:27
CCOMP就不要动了，补偿环路的参数和输出电容是匹配的。我并电容试试。谢谢 ...

你这个相位裕度肯定很小，处在临界状态。稍有强干扰糸统会自激，有做个阶跃负载试验吗？

发表于 2015-9-30 16:05

这个真没有。不懂啊。。。

发表于 2015-9-30 16:08

我给RRAMP并了个120p的电容，结果输出变6V多了。在二极管DVCC后面插了个电阻，低通，震荡大大减小，但是仍然存在，没有从根本上消除。

发表于 2015-10-1 15:04

不是烧管子就是烧控制器，一会烧光了啊:'(

发表于 2015-10-6 21:01

问题已解决，任务完成。非常感谢zyj9490，原因就是在反馈补偿环路。

发表于 2015-10-7 10:40

wangzeyue 发表于 2015-10-6 21:01
问题已解决，任务完成。非常感谢zyj9490，原因就是在反馈补偿环路。

最后确定修改了那些个反馈参数啊？请公布下结果。以便大家学习。

发表于 2015-10-7 22:16

RFB2的值影响极点。就是比较大的那个反馈电阻。选的比较大了，导致补偿网络的电阻值太大了。

加重负载，低边MOS被击穿咋办？

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