[电子元器件] 线性光耦合芯片里面有个饱和时序和非饱和时序

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 楼主| 彭段环 发表于 2015-9-29 11:19 | 显示全部楼层 |阅读模式
       线性光耦合芯片ILQ621里面有个饱和时序和非饱和时序图,该如何去分析看懂它?
       有人能解释一下二者的区别吗?
       file:///C:\Users\Stipe\AppData\Roaming\Tencent\Users\1158860995\QQ\WinTemp\RichOle\$4O)NRY7(@)A1{QLO8D9$2I.png

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manbo789 发表于 2015-9-29 11:31 | 显示全部楼层
根据负载的阻值判断光敏三极管的工作区是放大区还是饱和区,就知道对应时序,
 楼主| 彭段环 发表于 2015-9-29 13:25 | 显示全部楼层
不都是RL=75 Ω吗?如果电阻都一样大的话两个图的结果不是一样吗?
 楼主| 彭段环 发表于 2015-9-29 13:37 | 显示全部楼层
关键是为什么两个图的RL位置不一样。它们各自想实现什么样的功能或者目标呢?
manbo789 发表于 2015-9-29 14:12 | 显示全部楼层
我说错了,饱和这个词语误导了我,

实际是由于光敏三极管导通和截止的过度时间不一样,负载接法不同时,逻辑电平正好相反,这样的话,某一种接法的上升沿时间是另一种接法的下降沿时间,
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