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请教:IR2213的使用,总烧管子

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楼主
我在使用IR2213控制一个800V左右的电压,负载是一个双向线圈。由于IR2110耐压不够,所以选用了IR2213,两者的原理和管脚都是兼容的。现在遇到的问题是:总是炸管子,折腾了好几天了,炸了10多个IGBT了,电路板上有铜导线被炸飞,从炸飞的导线来看,是上下两管一起导通了。但控制程序中明明没有控制上管导通的。
这几天做的措施有:
SD强行接地;VDD和VCC强行共地。
肯定用过IR控制芯片的大虾给指点。
谢谢。

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沙发
小研究|  楼主 | 2015-9-30 17:31 | 只看该作者
附图,急等。

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小研究|  楼主 | 2015-10-4 11:10 | 只看该作者
我的这个应用比较特殊,H桥的两端,也就是H桥所控制的电压是800V的,容量很大的电解电容串联,所以应该不会存在过压击穿的情况。IR系列芯片,在网上即使超过100V的应用都很少,不大确定网上的那些案例是否有借鉴意义。也就是说,我的应用电压高电流并不大,问题的根源在于所控制的管子会误导通而导致管子炸毁,而导通的原因又在于电磁兼容方面的问题,比如寄生电容寄生电感,以及什么密勒效应(不大明白这个)。所以请高手指点,在电压较高时,控制IGBT,一个有什么要注意的EMC方面的技巧。谢谢。

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tyw| | 2015-10-4 11:33 | 只看该作者
本帖最后由 tyw 于 2015-10-4 12:00 编辑
小研究 发表于 2015-10-4 11:10
我的这个应用比较特殊,H桥的两端,也就是H桥所控制的电压是800V的,容量很大的电解电容串联,所以应该不会 ...


IR2213的耐压1200v, 对于800v感性负载是不够的.
感性负载视其Q值,反电势最大可高达所加载电压的10~14倍.例如3v供电的低频脉冲治疗仪,就是靠一个几mH的小电感的反电势,把电压升高到70v.哈哈


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小研究|  楼主 | 2015-10-4 15:11 | 只看该作者
本帖最后由 小研究 于 2015-10-4 15:12 编辑

我明白TYW老师的意思,多谢提醒。
不过我这应用我觉得应该不会存在这种情况。我放电的过程有些类似于LC放电,放电过程中,电压不可能高于C的原始电压。
想了解到1000V这个级别,通过自举的方法控制小电流的IGBT,有哪些需要注意的?

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小研究|  楼主 | 2015-10-4 20:34 | 只看该作者
问题的焦点在于,控制下管导通时,上管门极总会有一个尖峰脉冲,导致上管导通。此尖峰来源搞不明白,而且只有放大后才能看到。

IMG_20151004_201952.jpg (6.89 MB )

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小研究|  楼主 | 2015-10-4 20:39 | 只看该作者
一通道黄色波形为HO,放大后可以看到,在下管导通时(3通道粉色为LO),会导通上管,导致2通道蓝色波形(自举电容两端波形)放电,4通道为HIN,可见上管并没有有效输入。

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maychang| | 2015-10-4 21:29 | 只看该作者
小研究 发表于 2015-10-4 20:39
一通道黄色波形为HO,放大后可以看到,在下管导通时(3通道粉色为LO),会导通上管,导致2通道蓝色波形(自 ...

我猜测此尖峰是下管导通瞬间自举电容的ESL和ESR(电容的等效串联电感和等效串联电阻)引起的。
下管导通瞬间,辅助电源对已经失去一部分电量(波形中可见蓝色波形已逐渐下降)的自举电容充电(蓝色波形上跳),为芯片高端驱动的的电源端VB突然上升,使得HO端相对于VS端上升,导致上管瞬间导通。自举电容充电结束后HO相对于VS端恢复原状。

不知道是也不是。
如果下管导通不是那么快而是较缓慢导通导通,此现像消失的话,则这个猜测成立。
至于VS突然上升导致HO上升,需要到芯片内去寻找答案。很可能是芯片内驱动电路的两管图腾柱电路上管的米勒电容所致。

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小研究|  楼主 | 2015-10-5 14:48 | 只看该作者
钽电容为什么漏电这么快,搞不明白?!

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