3.2同步整流技术
在低电压大电流功率变换器中,若采用传统的普通二极管或肖特基二极管整流由于其正向导通压降大(低压硅二极管正向压降约0.7V,肖持基二极管正向压降约 0.45V,新型低电压肖特基二极管可达0.32V),整流损耗成为变换器的主要损耗,无法满足低电压大电流开关电源高效率,小体积的需要。
MOSFET导通时的伏安特性为一线性电阻,称为通态电阻RDS,低压MOSFET新器件的通态电阻很小,如:IRL3102(20V,61A)、 IRL2203S(30V,116A)、IRL3803S(30V,100A)通态电阻分别为0.013Ω、0.007Ω和0.006Ω,它们在通过 20A电流时,通态压降不到0.3V.另外,功率MOSFET开关时间短,输入阻抗高,这些特点使得MOSFET成为低电压大电流功率变换器首选的整流器件。功率MOSFET是一种电压型控制器件,它作为整流元件时,要求控制电压与待整流电压的相位保持同步才能完成整流功能,故称为同步整流电路。图1为典型的降压型“同步”开关变换器电路(当电路中无SR时,为“普通”的降压型开关变换器电路)。
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